方法1.1电磁辐射与结构综述.ppt

材料现代分析方法 第一章 电磁辐射与材料结构 §1.1 电磁辐射与物质波 §1.2 材料结构基础 §1.1 电磁辐射与物质波 1.1.1 电磁辐射与波粒二象性 §1.2 材料结构基础 1.2.2 倒易点阵 1.2.3 晶带 本 章 结 束 1.倒易点阵的定义 倒易点阵是由晶体点阵按照一定的对应关系建立的空间（几何）点（的）阵（列），此对应关系可称为倒易变换。 倒易点阵——由倒易点在三维空间中重复排列形成的点阵 由正点阵按一定规则变化而成的空间结点 （HKL 的法线方向，距离取（1/dHKL ） 定义：对于一个由点阵基矢a i i 1,2,3,应用中常记为a, b, c 定义的点阵（可称正点阵），若有另一个由点阵基矢a j* j 1, 2, 3, 可记为a*, b*,c* 定义的点阵，满足 （1） 则称由aj* 定义的点阵为ai 定义的点阵的倒易点阵。 定义式（1）中之常数K,多数情况下取K 1,有时取K λ 入射波长 或K 2π。如不特别说明时，则认为K 1。 式（1）表达了倒易点阵与正点阵的对应关系，将其分项写出，有 由倒易点阵定义式中ai 与aj*的位置对称可知：正点阵与倒易点阵互为倒易，即满足式（1）之ai（i 1，2，3）定义的点阵是其倒易点阵[ aj* （j 1,2,3）定义的点阵] 的倒易点阵。 2 由式（2）可导出由a i i 1,2,3 表达a j* j 1,2,3 的关系式，即 2.倒易点阵基矢表达式 式中：V——阵胞（a1，a2, a3构成之平行六面体）体积,按矢量混合积几何意义，V a1· a2×a3 a2· a3×a1 a3· a1×a2 。 3 倒易点阵参数及α* a2*与a3*夹角 、β*（a3*与a1*夹角）和γ*（a1*与a2*夹角）由正点阵参数表达为 （4） 按正点阵与倒易点阵互为倒易，类比式（3），可直接得出由倒易点阵基矢表达正点阵基矢的关系式为 （5） 式中：V*——倒易阵胞体积，V* a1*· a2*×a3* . 式（3）与式（4）为对各晶系普遍使用的表达式，结合不同晶系特点可得到进一步简化。以立方晶系为例：立方晶系有a b c, α β γ 90°,V a3；将其代入式（4）,则有 同理可得b*、c*、α*、β*，即 （6） 3.倒易矢量及其基本性质 在倒易点阵中建立坐标系：以任一倒易阵点为坐标原点（以下称倒易原点，一般取其与正点阵坐标原点重合），以a1*、a2*、a3*分别为三坐标轴单位矢量。由倒易原点向任意倒易阵点（以下常简称为倒易点）的连接矢量称为倒易矢量，用r*表示。若r*终点（倒易点）坐标为（H, K, L），则r*在倒易点阵中的坐标表达式为 （7） 的基本性质：? 垂直于正点阵中相应的（HKL）晶面； ? 长度 等于 HKL 之晶面间距d HKL的倒数； ?倒易点阵中的一个点代表的是正点阵中的一组晶面。 如图所示，正点阵坐标系O-xyz;设平面ABC为（HKL）晶面组中距原点最近的晶面，则由于干涉指数标识方法可知其在3个坐标轴上的截距分别为1/H、1/K和1/L，即有 又设n0为（HKL）法线单位矢量，并设倒易原点（O*）与正点阵坐标原点 O 重合。 由AB OB－OA b/K－a/H，有 ·AB Ha1*+Ka2*+La3* ·（b/K－a/H） 将上式右边分项展开并按式（2），可得 即 同理可得 图 倒易矢量性质（与正点阵中对应晶面的关系）的导出 又，d HKL为OA在n0方向上的投影，即 分项展开并按式（2），得 即 （8） 且 ，故 垂直于平面ABC，即 。因 ，故其与n0共线，有 ★倒易点阵与正点阵（HKL）晶面的对应关系 的基本性质确切的表达了其与（HKL）的一一对应关系，即一个r*与一组（HKL）对应。 的方向与大小表达了（HKL）在正点阵中的方位与晶面间距；反之，（HKL）决定了 的方向与大小 。 的基本性质也建立了作为 终点的倒易（阵）点与（HKL）的一一对应关系。 正点阵中每一（HKL）对应着一个倒易点，该倒易点在倒易点阵中的坐标（可称阵点指数）即为HKL；反之，一个阵点指数为HKL的倒易点对应正点阵中一组（HKL），（HKL）方位与晶面间距由该倒易点相应的 决定。下图为晶面与倒易矢量（倒易点）对应关系示例。 图 晶面与倒易矢量的对应关系 若已知晶体点阵参数，即由式（4）可求得其相应倒易点阵参数，从而建立其倒易点阵。也可根据 与（HKL）的对应关系，通过作图法建立倒易点阵。即在正点阵中取若干不同方位的（HKL），并据其做出对应的 ，各 终点的阵列即为倒易点阵。 ★倒易点阵的建立 晶面间距是材料衍射分析等工作中用以表达晶体结构的重要参数。本处作为倒易点阵应用的典型实例导