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XAFS実験法 高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所 野村　昌治 XAFSを測定できるか 吸収端?XAFSの干渉Ti K端(4.96keV)Cs LIII端（5.01keV)Ba LIII端(5.24keV)　k～8.6A-1表をチェックする 透過法 ? XAFSの原理にほぼ忠実 　本来は試料の有無による強度変化を測定するが、多くの場合同時測定している。 　　I0 = IIN {1－exp(－m0x0)} 　　I = (IIN－I0) exp (－mSX) 　　mt = ln(I0/I) 　　= ln {1－exp(－m0x0)} + m0x0 +mSX 下線部のみが試料の吸収を反映している。 XAFS信号c 試料の最適厚さ I0の検出効率　(mx)0 = 0.245 試料の吸収　mX=2.55 　　でS/Nが最大 S/N = 0.556 DmA/m (IIN)1/2 DmA ：　XAFS振動成分 m : 　　試料の全吸収 IIN ：　 入射光子数 Iの検出効率 　0.9～＜1 X線は強い方が良いか 光子の統計精度でS/Nが決まる場合はyes 光子密度が高いと試料が損傷を受けることがある（KMnO4、有機物…） 多くの場合は光子統計以外でS/Nが決まっている（試料の調製、高次光…） 試料厚さの制約 高次光の影響を抑制 ? 測定域中の真のmtの最大値を４程度以下　　 光学スペクトルでecl4と同様 吸収端でのジャンプ（ Dmt）を余り大きくしない　(2) Dmt～3 吸収端前　2V 　　　↓ 吸収端上　0.1V 検出系のdynamic range 試料によってはスペクトルの両端での強度差 試料厚さの算出 I/I0 = exp(-mMrx) = exp(-mx) mM ：　質量吸収係数 (cm2/g) m　：　線吸収係数 (cm-1) r　：　密度 (gcm-3) x　：　試料の厚さ (cm) mM = S mMi Wi　=Cl3ーDl4 0.1mol dm-3のCu水溶液の例 試料の調製 均一で、適切な厚さの試料を 溶液試料 X線は物質を透過する？ 高次光 2d sin q = nl (n = 1, 2, 3…) 　消滅則の利用 高次光の割合 a:1×10-1、b: 2×10-3、c: 6×10-5 10-4 を目安に a: Ti(5mm) + Al(30mm) b,c : Ti(5mm) + Al(60mm) glitch モノクロメーターに由来し、I0に観測されるスパイク構造 ? 検出系のオフセットが正しく、直線性が十分に高い ? 高次光、迷光が無視しうる ? 試料が適切な厚さ ? 試料が均一 な場合は通常は割り切れる 偏光面の回転が起こる 悪い測定例(1) 不均一な試料 不純物 悪い測定例(2) 厚すぎる試料 妨害物 不良データ対策 透過法実験で重要なこと 均一で、適切な厚さの試料を調製する。 高次光を10-4以下に抑制する。 入射スリット後はX線ビームを切らない。 取説に従い、検出系を正しく使う。 透過法の限界 透過法 ○原理に忠実 ●感度に限界　wt% 蛍光法 蛍光X線量が吸収X線量に比例することを利用 高感度 試料の均一性に敏感でない 基本的にバルクの情報 透過法か蛍光法か [基本]　透過法で測定できる試料は透過法で。 境界の目安 eW/8p mA/mT e～0.5 (Ga)、 W/4p ～0.15 0.3wt%のCu/SiO2 0.02 mol dm -3のCu aq. 悪い例（厚すぎる試料） 蛍光XAFS用電離箱Lytle detector 半導体検出器(SSD) フィルターやスリットではなく電気的に波高分析 S/N = S/(S+B)1/2, S/B～1/200 蛍光X線と散乱X線の分離がキー 転換電子収量法(CEY) 軟X線領域での実験 真空下での実験 透過法　：　吸収係数が大きく、一般的には困難メッシュ等の光電流、Photo Diode 蛍光法　：　量子収率は低いがS/Bは高いPhoto Diode、PC、SSDフィルターはない 電子収量法(AEY/PEY/TEY)：表面敏感、チャージアップCEM、EM、ドレイン電流 軟X線領域での実験 蛍光法とCEY法 試料環境 標準的な環境 硬X線領域では ?　大気中/He雰囲気中/真空中 ?　室温下/低温下（～10K) 実験の要求に応じて 高温（電気炉、ゴールドイメージ炉） 全反射蛍光法（大気下） 偏光依存 マイクロビーム(SPring-8) 円偏光利用 準備をすれば 極低温下（液体He) 高圧下（ガス加圧、超臨界、亜臨界、DAC、プレス..） 全反射蛍光法/転換電子収