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激光调制技术 电源调制 6 激光调制技术 干涉调制 6 第1章 激光原理与技术 1 3 2 5 4 辐射理论概要 激光产生的原理及条件 稳频技术 激光的基本物理性质 高斯光束 6 激光调制技术 7 半导体激光器 半导体激光器 半导体激光器的基本结构 7 半导体激光器 半导体激光器的基本特性 7 半导体激光器 7 半导体激光器的基本特性 半导体激光器 半导体激光器的基本特性 7 * 上一节课: 课程内容简介 辐射理论概要:光量子学说及光的波粒二象性;原子能级、简并度及波尔兹曼分布;光和物质的相互作用。 激光产生的原理及条件:粒子数反转分布及泵浦过程;光的受激放大;谐振腔的共振作用与激光的形成;激光形成的基本条件及阈值条件;激光器的结构形式;激光器的分类及特点。 激光基本物理性质:激光的方向性、高亮度、单色性、时间相干性和空间相干性、激光的纵模与横模。 今天主讲内容: 高斯光束、稳频技术、激光调制技术、半导体激光器 回顾 高斯光束 高斯光束的表达式 由凹面镜构成的稳定谐振腔产生的激光束既不是均匀平面光波,也不是均匀球面光波,而是一种结构比较特殊的高斯光束,如下图。 4 高斯光束 高斯光束的表达式 4 沿Z轴方向传播的高斯光束的电矢量方程表达式为 (x,y,z)点的电矢量 z轴上(x=y=0)各点电矢量振幅 z点的光斑尺寸 z=0处ω(z)的值,z=0光斑尺寸 它是高斯光束的一个特征参量,称为光束的“束腰” z处波阵面的曲率半径 与z有关的位相因子 高斯光束 高斯光束的特性 4 (1)z=0的情况 Z=0代入前面高斯光束表达式得出z=0处的电矢量表达式为 a) 与x,y有关的位相部分消失,即z=0的平面是等相面,它与平面波的波阵面一样; b) 振幅部分是一个指数表达式,这种指数函数叫高斯函数,通常称这种振幅的分布为高斯分布。 从上式可以看出: 高斯光束 高斯光束的特性 4 (1)z=0的情况 下图所示即为电矢量E分布曲线,ρ=0(光斑中心)处振幅最大,为A(0,0,0)=A0/ω0 , ;在ρ= ω0 处有A(ρ,0)=A0/eω0 =A(0,0,0)/e。 可见光斑中心最亮,向外逐渐减弱,但无清晰的轮廓。 所以通常以电矢量振幅下降到中心值1/e(光强为中心值1/e2)处的光斑半径ω0作为光斑大小的量度——束腰。 高斯光束 高斯光束的特性 4 (1)z=0的情况 从以上分析看到,高斯光束在z=0处的波阵面是一平面,这一点与平面波相同,但其光强分布式一种特殊的高斯分布,这一点不同于平面波; 也正是由于这一差别,决定了它沿z轴传播时不再保持平面波的特性,而是以高斯球面波的特殊形式传播。 高斯光束 高斯光束的特性 4 (2)z=z0?0的情况 相位部分 相位部分表示高斯光束在z=z00处的波阵面是一球面,其曲率半径为R(z0)。表达式为: 即波阵面的曲率半径R(z0)大于z0,且R随z而异,即作为波阵面的球面的曲率半径中心不在原点,而且不断变化。如下页图所示。 振幅部分 振幅部分与z=0处相仿,仍是中心最强,按高斯指数向外逐渐减弱。 但此时的光斑尺寸为: 高斯光束 高斯光束的特性 4 (2)z=z0?0的情况 高斯光束 高斯光束的特性 4 (2)z=z0?0的情况 c) 光束的发散角 当z=0处2θ=0;z ∞(远场)时,2θ=2λ/πω0 随z增大,到z= πω02/λ时,才达到远场发散角的 通常称z=0到z=πω02/λ的范围为准直距离,在此区间发散角最小。 从上式光斑尺寸公式可以看出,在z=0处的光斑尺寸最小,该点的光斑尺寸ω0为束腰,而ω(z)随z增大,表示光束逐渐发散。通常以2θ来描述光束的发散角,表达式为: 高斯光束 高斯光束的特性 4 (3)z=-z0的情况 与z=z0相似,它的振幅分布与z=z0处完全一样,两者曲率半径的绝对值相等。 在-z0处,是向z方向传播的汇聚球面波,到达z=0处,变成一个平面波,当继续传播时又变成一个发散的球面波。光束各处上的光强均为高斯分布。 高斯光束 高斯光束的变换 4 (1)高斯光束的复曲率半径 改写为 引入一个新的参数q(z),其定义为: 参数q(z)将高斯光束的两个基本特征参数ω(z)和R(z)统一在一个表达式,它是表征高斯光束的又一个重要参数,称为高斯光束的复曲率半径。一旦确定光束在某位置处的q(z)的值,便可求出该处的ω(z)和R(z)。 q(z)在自由空间(各向同性介质)传输规律 将高斯光束电矢量方程表达式 高斯光束 高斯光束的变换 4 (2)高斯光束通过薄透镜的变换 图中M表示高斯光束入射到透镜表面上的波面,对应的曲率半径R ,M’表示经过透净转换后的波面;对应的曲率半径R’,则 对比可知,高斯光束的复曲率半径q(z)与普通球面波的曲率半径R有一样的作用; 根据
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