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Ge单晶中的位错形态腐蚀.pdf
第15卷专辑2 中国有色金属学报 2005年10月
V01．15 2 TheChinese of Metals Oct．2005
Special JournalNonferrous
文章编号：1004—0609(2005)S2—0407—04
Ge单晶中的位错形态腐蚀①
李楠，王 宁，冯德伸
(北京有色金属研究总院国晶辉红外光学科技有限公司，北京i00088)
摘 要：采用cz法拉制晶向为i00Ge单晶，利用化学腐蚀和金相显微镜研究Ge单晶中位错密度、位错坑形
态发展过程。对于磨砂型号、研磨时间、抛光时间、腐蚀时间的不同对位错形态及本底有影响的几个因素设计实
验方案。结果发现：随着研磨砂粒度减小，研磨时间延长，样品表面分布逐渐均匀且腐蚀后位错容易辨认；表面
的平整度随着抛光时间的延长而提高，但是进一步延长时间，平整度下降，并开始粗糙；在化学腐蚀液中，腐蚀
时间的长短对于位错形态以及位错密度有着重要的影响，随着时间延长，位错形态逐渐显示清楚，腐蚀过程继续
进行，位错形态开始模糊到最后消失，同时，观察到位错密度也逐步下降。根据上述实验制定合理的化学腐蚀工
艺，为改进单晶研制工艺提供可靠的依据。
关键词：位错；腐蚀；Ge单晶
304．053
中图分类号：TN 文献标识码：A
ofdislocationofGe
Morphology pit monocrystal
LINan，WANG De—shen
Ning，FENG
Infrared Co．Ltd．，
(Guojing OpticalTechnology
GeneralResearchInstituteforNonferrous
Beijing Metals，
100088，China)
Beijing
chemical and ofthe the
Abstract：Theetchingpits，dislocationdensityprofile monocrystallineGe100grownby
CZwerestudiedthechemical underthe ofsome
by experiment OLYMPUS．Thinkingpa—
etching opticalmicroscope
rameters thedislocationand as
influencing time，etchingtime，the
profilebackground，suchgrindingtime，polishing
was resultshowsthatitis tO thedislocationandthesurfaceoftheGeisuni—
experimentdesigned．The
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