一类可调吸波结构的FDTD建模与优化.pdfVIP

2005’全国微波毫米波会议论文集 一类可调吸波结构的FDTD建模与优化 郑罡王秉中喻志远 (电子科技大学应用物理研究所，成都，610054) 摘要：本文针对国外学者所提出的‘类可调吸波结构，建立了用于FDTD仿真 分析的简单模型，验证了这种模型的正确性。最后将遗传算法运用到该模型-h 并给出了对这种吸波结构进行优化的例子。 关键字：可调吸波结构、FDTD、遗传算法。 1引言 N9ITM学者近来提出了一类新型的吸波结构[1卜[4]，如图1所示，它由传 统的频率选择表面加载二极管所构成。通过施加1i同的直流偏置改变二极管的 状态，可以改变结构的电磁特性。实验表明这种结构能在较宽的频带内，剥入 射过来的电磁波进行吸收，并且这种吸波性能是可以调节的。鉴于结构的复杂 性，对它的研究，主要是通过数值方法和实验下段。 …’。；；；；；；；； l；llllll 懑鋈 图l左图为组成该吸波结构的单元，右图为整个吸波结构表面 2定性分析与建模 对于这种吸波结构，可以将它分成有源和无源两部分。对于有源部分， 即结构中所加载的PIN二檄管，在一定的南流偏置下呈现出电阻特性。该吸波 结构正是用这种电阻特性将入射来的电磁波能量转化成热能。所蛆在给定直流 偏置的情况下，为简便起见，仿真时可以将其用纯电阻来代替。 无源部分，包括频率选择表面、介质基底、金属接地。在理想情况下， 单元所构成的整个吸波表面是无限大的，所以如果要分析吸波表面的整体性 能，必须用合适的边界条件对吸波表面加以截断来建立数值仿真模型。 从图l可见，这种平面二维削期结构具有关于相互乖直的两根水甲轴都 对称的特点。那么可以做这样的猜想：当垂直入射的场也具有这种对称性时， 存每个单元的边界上，电场和磁场也是关于单元边界是对称的，换句话说，就 是单元边界要不就是电壁，要不就是磁壁。 进一步进行分析，左右两个单元之间的单元边界A可以分成如下两种情 本文T作受国家自然科学基金和电子科技人学创新团队计划资助 2005’全国微波毫米波会议论文集 况。如图2所示，第一种情况·1-，电场分解为垂直于单元边界方向和甲行r学 元边界方向叫个分量，单元边界两边垂直于单元边界的分量方向相反，相互抵 消，而只剩下平行丁甲元边界方向的分角。所以对于第一种情况，单元边界可 以看成是磁壁。而对于第二种情况，刚好相反，单元边界左右两边的甲行分量 方向相反而被抵消了，只剥F垂直分量。所以，对于第二种情况，单元边赛可 以看成是电壁。 单元边界A 单元边界A 、 ．| d 一、1， K●l：L 、了～ 』一，， ’i ／ 、一下t， ，