用于红外光声传感器的MEMS光源.pdfVIP

厂溉L一学～一学～一传一一感～ 一器一 用于红外光声传感器的MEMS光源 吴飞蝶纪新明 王建业周嘉 黄宜平刘全鲍敏杭 复旦大学微电子系 上海200433 摘要：我们设计制作了不同结构、不同图形尺寸的铂金薄膜热激发MEMS红外光源，并对其 辐射性能作了测试比较．测试结果显示，发射光谱带在2um～4“m范围内有比较强的辐射能量， 调制频率在20Hz--40Hz之间有较好的调制度。这些特性已经符合多数红外传感器的要求。 关键词：红外光源 发射率 气体传感器 辐射材料 1．简介 对于气体传感器来说，红外吸收和光声测试方法是最可靠和精确的测量技术之一。随着MEMS技术的发 展，研究微型化红外吸收和光声传感器芯片已经引起人们的重视【1。J。为满足探测灵敏度的要求，所用红外 光源不仅要达到一定的辐射功率，还需要有一定的调制频率【3】，加之系统小型化的发展趋势，使得采用微加 工制作的可直接调制的微型红外光源成为研究的重点和热点。在多组分气体监控、半动态红外成像中，一般 选用热激发红外光源，以满足较宽波长覆盖范围的要求。本文采用几种不同辐射薄膜结构，不同图形尺寸的 方案，设计并制作了用于红外光声传感器的MEMS光源，并对其辐射性能作了测试比较。 2．MEMS光源的设计及加工 利用微电子表面加工技术和体硅加工技术，在绝热薄膜上通过溅射的方式形成一层金属薄膜并加工成发 热丝图形。通过在发热丝两端加脉冲形式电信号，利用电热效应获得高温辐射体，通过高温物体向周围环境 散热(包括传导、对流、辐射的方式)，得到调制的红外辐射信号。MEMS光源的总体结构如图1所示，硅材 保护层，厚度的选择是基于机械性能的考虑。发热丝由铂层和钛层构成，厚度分别为3000h和500A，通过溅 射得到，钛层的加入是为了增加铂金层和支撑层之间的粘附性【4】。 um；另外针对IR4 金属层通过剥离工艺得到设计的图形结构(如图2)，线宽、线距分别为80“m和60 图形，加工了四种不同线宽、线距的图形以进行比较。采用反刻方式【5’6】通过各向异性湿法腐蚀释放薄膜， 得到大小约为2X2(mm2)的薄膜面积。引脚的大小约为400X400(um2)，由于引脚足够大，支撑层的绝热作用 可以忽略，发热丝的热量经由引脚向衬底传导，为减小寄生热，将与引脚连接处的发热丝设计得更加狭长。 图I 光源结柯剖面示意图 图2设计的四种不同的发热丝图形结构 294 由于铂金的辐射系数小，为研究增大光源表面辐射能力，本文设计了三种不同辐射薄膜结构进行比较： 在铂金表面加上2000A的PECVD氮化砖或PECVD一氧化硅以及不加辐射层i 为改善发热丝的热稳定性．将成型发热丝在450℃氨气氛围里退火两个小时[71。 3．光源辐射性能研究 通过对热像图温场、频谱特性、频响特性的比较，发现改变发热丝的线条宽度以及线距宽度，同等条件 下，辐射性能没有明显区别，所以本文性能研究只针对不同辐射薄膜结构和图形形状进行。 3．1温场分布的研究 CAMSC3000 探测仪器：thermal 从热像图上看，由于采用背面腐蚀方式释放薄膜，确实能够将热量 集中于薄膜所在的位置，减少热量的损失，如图3。在铂金膜表面加一 层辐射系数比较高的材料(如PE氮化硅或者二氧化硅)，整体辐射温度 略有提高(图4)，但铂金被覆盖位置等效黑体温度仍然较支撑层温度低， 可能是辐射材料层厚度(2000埃)过薄所致。从平均等效黑体温度看， 采用串联结构(图形IRl和IR4)比并联结构(图形1R2和IR3)更有利 于热量集中于薄膜位置，提高表面温度从而提高电能一光能的转化效率， 如图5。测试结果显示，采用并联结构、并在铂金表面增加一层氮化硅 孽鐾篓擘÷要墼晕奎苎些一辐射能转换效率达到13％，最大辐射功率可 图3电功率作用下光源表面热像图 ……………一一…… 以达到几十甚至上百毫瓦。 单位面积功率一平均等效黑l体温度 250 单位面积功率一平均等效黑体温度