第11章晶体生长和缺陷crystal.ppt

第11章?晶体的形成和晶体的缺陷 晶核的形成 晶体形成的方式 晶体生长的理论模型 决定晶体生长形的内因 影响晶体生长的外部因素 晶体的缺陷 11.1 晶核的形成 成核是一个相变过程，即在母液相中形成固相小晶芽，这一相变过程中体系自由能的变化为： ΔG=ΔGv+ΔGs 式中△Gv为新相形成时体自由能的变化，且△Gv＜0, △GS为新相形成时新相与旧相界面的表面能，且△GS＞0。 也就是说，晶核的形成，一方面由于体系从液相转变为内能更小的晶体相而使体系自由能下降，另一方面又由于增加了液 - 固界面而使体系自由能升高。 晶体形成的一般过程是先生成晶核，而后再逐 渐长大。 一般认为晶体从液相或气相中形成有三个阶段： 1、介质达到过饱和、过冷却阶段； 2、成核阶段； 3、生长阶段。 以溶液情况为例，说明成核作用的过程 设单位体积溶液本身的自由能为g液 从溶液中析出的单位体积结晶相自由能为g晶 成核作用分为： 1、均匀成核：在体系内任何部位成核率相等。 2、不均匀成核：在体系的某些部位的成核率高 于另一些部位。 11.2 形成晶体的方式 晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相。只有晶体才是真正的固体。由气相、液相转变成固相时形成固体，固相之间也可以直接产生转变。 1 气体凝华结晶：气态物质不经过液态阶段直接转变成固体。 (1)同质多象转变： 在一定热力学条件下，由一种结晶相转变为另一种结晶相。它们在转变前后的成分相同，但晶体结构不同。 11.3 晶体的生长 晶核形成后，将进一步成长。 下面介绍关于晶体生长的几种理论。 1．层生长理论（科塞尔理论模型） 它是论述在晶核的光滑表而上生长一层原子面时，质点在界面上进入晶格“座位”的最佳位置是具有三面凹角的位置。 晶体在理想情况下生长时，先长一条行列，再长相邻的行列；在长满一层原子面后，再长相邻的一层，逐层向外平行推移。 2． 螺旋生长理论 根据实际晶体结构的螺旋位错现象，提出了晶体的螺旋生长理论。即在晶体生长界面上螺旋位错露头点所出现的凹角及其延伸所形成的二面凹角可作为晶体生长的台阶源，促进光滑界面上的生长。 3．布拉维法则 早在1855年，法国结晶学家布拉维从晶体具有空间格子构造的几何概念出发，论述了实际晶面与空间格子构造中面网之间的关系。 结论： 在一个晶体上，各晶面间的相对生长速度与它们本身面网密度的大小成反比，即面网密度越大的晶面，其生长速度越慢；反之越快。 晶体上的实际晶面往往平行于面网密度大的面网 ! 4．居里—乌尔夫原理 1885年居里(P．Curie)指出，在平衡条件下，发生液相与固相之间的转变时，晶体调整其形态使总的表面能为最小．亦即晶体生长的平衡形态应具有最小表面能。此原理可用下式表示： 当温度T、晶体体积V不变时 : 居里－乌尔夫原理：对于平衡形态而言，从晶体中心到各晶面的距离与晶面本身的比表面能成正比 (即各晶面的生长速度与各晶面的比表面能成正比）。 4．周期键链(PBC)理论 从晶体结构的几何特点和质点能量两方面来探讨晶面的生长发育。 11.4 影响晶体生长的外部因素 （1）涡流 （2）温度 （3）杂质 （4）粘度 （5）结晶速度 (1) 涡流 温度的变化直接导致了过饱和度或过冷却度的变化，相应的改变了晶面的比表面能及不同晶面的相对生长速度，影响晶体形态。 （4）粘度 粘度的加大，将妨碍涡流的产生，溶质的供给只有以扩散的方式来进行，晶体在物质供给十分困难的条件下生成。由于晶体的棱角部分比较容易接受溶质，生长得较快，晶面的中心生长得慢，甚至完全不长，从而形成骸晶。 (5)结晶速度 结晶速度大，则结晶中心增多，晶体长的细小，且往往长成针状、树枝状。反之，结晶速度小，则晶体长得极大。结晶速度还影响晶体的纯净度。快速结晶的晶体往往不纯，包裹了很多杂质。 2 线缺陷 —— 位错 晶体中由已滑移区与未滑移区的交界处，原子严重错排而造成的晶体缺陷称为位错。 E-F线称为位错线。由于它 像刀刃，所以称为刃型位错。 正、负刃位错分别用“⊥”、“ ”表示。 特点: ① 位错线与滑移矢量构成的面称为滑移面。 ② 刃型位错周围的晶体产生畸变， 使位错线周围产生弹性应变，造成应力场。 ③ 在位错线周围的畸变区,原子有较高的能量， 该区只有几个原子宽，所以该区称线缺陷。 2、螺位错 单晶受切应力τ作用，上下两部分晶体沿滑移面发生了部分