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．330·中国太阳能光伏进展
大面积CdTe薄膜电池的制备考
蒋显辉 白桂庭郑家贵黎兵冯良桓蔡伟 蔡亚平 张静全
四川大学材料科学科学与工程学院成都610064
【摘要】 采用CBD法在透明导电薄膜上沉积CdS，在自主研发的设备中利用CSS法沉
积CdTe薄膜；制备出了0．12m2的大面积CdTe薄膜。对薄膜进行了XRD分析，
阳电池，测试了电池的光谱响应特性和效率。
【关键词】 CdTe薄膜大面积
of scaleCdTethinfilm
Preparationlarge
Xian ZHENGJiaGuiLI
JIANGHuiBAIGui
Ting Bing
FENGHuanCAIWeiCAIYa ZHANGQuan+
Liang Ping Jing
。
ofMaterialsScienceand 610064
College Engineering，SichuanUniversity，Chengdu
0引言
由于CdTe具有很高的光吸收系数，很适合制作薄膜太阳电池。美国国家可再生能源实
复合层作为背接触，获得了面积为0．502
于CdTe多晶薄膜太阳电池在降低成本方面有很大的优势，适于大面积生产和应用，目前已
薄膜，以它为衬底，用近空间升华法制备了CdTe多晶薄膜，将其分割成小块，制成太阳电
池，测试并分析了薄膜结构和电池的性能。
1实验
1．1 样品制备
●
o
化合物半导体和空间用太阳电池及材t--．t．
．33I．
蒸发沉积p·41。大面积cdTc薄膜制备由于其面积大，不同于一般小面积的近空间升华设备，
沉积设备内部主要结构如图l所示。此设备既可制源，也可沉积薄膜。源跟衬底之间的距离
为2～5
作为升华源，均匀的铺在母源上，然后将母源放在下石墨处，子源则放置于上石墨处，母源
沉积CdTe薄膜的时候将制备好的子源放置在下石墨位置，样品衬底放置如图．1中所示
的上石墨位置处，抽真空至1
103
Pa并加热进行氢刻蚀，然后抽出氢气后充入氩氧混合气体进行加热沉积。反应室中用惰
性气体维持一定的气压，使Cd、Te2不直接蒸发到衬底上，而是与惰性气体分子碰撞数次后
才到达衬底表面，这是获得厚度均匀、晶粒尺寸合适的致密薄膜的前提。
间25rains。由于后期工艺设备尚未完善，目前无法制备出一整块面积为1200cm2电池，为了
跟踪考察薄膜的性能，将大面积薄膜分割成面积约为20cm2的小块薄膜，用自行设计的DM-400
型共蒸发系统制备ZnTe：Cu薄膜，用电子束蒸发制备Ni电极【5l，制成了小面积电池。
1：上石墨；2；下石墨；3：支架；4：石英奈；5：石墨裙边；6：样品；7-升降架
图1 大面积CdTe制源及沉积设备示意图(A、B、C、D为四个热偶测温点)
1．2 CdTe薄膜及太阳电池性能测试
、
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