集成电路设计-part1-4.pptVIP

寄生电阻＝（金属长度/金属宽度）×方块电阻 –加大金属线宽，减小金属长度 –如果金属线太宽，可以采用几层金属并联走线 ?M1M2M3三层金属并联布线，总的寄生电阻减小1/3 n p p n B A SiO 2 Al A B Al A B Cross-section of pn -junction in an IC process One-dimensional representation diode symbol Mostly occurring as parasitic element in Digital ICs 正向偏置的PN结上有存储电容，其电容值与载流子的渡越时间、管上的电容有关 t ox n + n + Cross section L Gate oxide x d x d L d Polysilicon gate Top view Gate-bulk overlap Source n + Drain n + W –PN结电容 –MIS电容 ?寄生电容使器件对电压变化的响应灵敏度降低 –栅条自身的串联电阻 ?与栅电容一起形成RC常数，更显著降低器件速度 平行板电容： Cgb=C??A 源漏交叠电容： Cgs、Cgd 总的栅电容应为：Cg=Cgb+Cgs+Cgd 其中：Cgb 本征电容 Cgs