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利用同步辐射xrd 研究bifeo3 外延多铁薄膜的微结构
中国科学: 物理学 力学 天文学 2011 年 第41 卷 第1 期: 12 ~ 16
SCIENTIA SINICA Phys, Mech Astron SCIENCE CHINA PRESS
上海光源专题
利用同步辐射XRD 研究BiFeO3 外延多铁薄膜的
微结构
①* ② ① ① ② ② ① ①
李晓龙 , 王灿 , 顾月良 , 何庆 , 吕惠宾 , 金奎娟 , 周兴泰 , 徐洪杰
① 中国科学院上海应用物理研究所, 上海 201204;
② 中国科学院物理研究所, 北京 100080
*E-mail:lixiaolong@
收稿日期: 2010-08-02; 接受日期: 2010-11-24
国家自然科学基金(批准号:和国家重点基础研究发展计划(编号: 2010CB934501)资助项目
摘要 使用脉冲激光沉积在SrTiO 衬底上生长了不同厚度的BiFeO (BFO)薄膜, X 射线衍射分析表明薄膜
3 3
是BFO 外延薄膜. X 射线反射率测量发现BFO 薄膜密度随着厚度的增加而增加, 同时薄膜表面存在厚度为数
纳米的非设计覆盖层. 随着厚度的增加, BFO 薄膜由完全应变过渡到应变部分弛豫状态, 同时BFO 从四方相
转变为单斜相.
关键词 铁电薄膜, 微结构, 同步辐射衍射
PACS: 77.84.Dy, 61.10.Kw, 82.80.Pv
1 引言 研究了脉冲激光沉积生长的200 nm BFO/STO 薄膜的
结构, 发现薄膜呈现单斜相, 但是在Qi 等人[5] 的研究
多铁材料是一种结构参数有序、铁电性和铁磁性 中, 发现使用液相沉积技术生长的 BFO/SrRuO3/STO
并存、而且具有磁电耦合作用的材料. 这种材料在诸 薄膜是完全弛豫的三方相. 在Kim 等人[6] 的研究中发
如传感器、信息存储、自旋电子设备等微电子器件中 现小于77 nm 的BFO/STO 薄膜呈现四方相, 而随着
有着巨大的潜在应用价值[1~3]. BiFeO3 (BFO) 因为在 厚度的增加过渡到三方相. 这些结果说明 BFO 的结
室温下具有单相多铁行为而在近年来受到了越来越 构紧密依赖于制备方法和薄膜的厚度. 在本文中我
多的重视, 而且居里温度(约为 850℃)和尼尔温度(约 们研究了使用脉冲激光沉积方法生长的BFO/STO 薄
为370℃)相对较高. BFO 体材料是一个三方相的扭变 膜的微结构, 发现随着厚度的变化, BFO 薄膜由完全
钙钛矿结构, 其中自发极化沿着赝立方单胞的[111] 应变过渡到应变部分弛豫状态, 同时 BFO 从四方相
方向. 转变为单斜相.
但是对于具有实际应用的薄膜材料来说, 由于
衬底引起的晶格失配或者热膨胀失配产生的应力引 2 实验
起了薄膜结构上的变化, 使得薄膜的结构和体相有一
定的偏离, 同时使得电学特性也各有差异. Xu 等人[4] BFO 薄膜是利用脉冲激光沉积方法制备. 耙材
引用格式: 李晓龙, 王灿, 顾月良, 等. 利用同步辐射XRD 研究BiFe
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