电子全息方法测定GaNAlGaN多量子阱结构的极性.pdfVIP

第55卷第11期2006年11月 物 理学报 1000—329012006／55(11)15829—06 ACTAPHYSICASINICA ⑥2006 Chin．Phys．Soc． 戴 涛1’ 刘玉资1’+ 张 泽2’ 1)(北京凝聚态物理国家实验室，中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室，北京100080) 2)(北京工业大学，北京100022) (2006年1月20日收到；2006年3月15日收到修改稿) 介绍一种通过用电子全息方法测定GaN／A1GaN多量子阱结构生长极性的方法．该方法可以分别测量多量子阱 结构中各层内建电场方向．由于多量子阱结构中的内建电场是由各层膜中的极化共同作用产生的，电场的方向和 生长极性有确定的对应关系，所以通过测定内建电场的方向就可以确定结构的生长极性．还用会聚束电子衍射方 法对电子全息方法的测定结果进行了验证． 关键词：电子全息，生长极性，极化 PACC：4240，6150C，2975 1．引 言 府GaN衬底(2／zm)／Alo．55Gao45 从上世纪末以来，GaN和ZnO等化合物半导体 上所有层厚和成分数据都是x射线衍射的测量 一直是新型光电材料研究的重要内容，这些非中心 结果． 对称晶体以及它们外延结构的生长极性研究也成为 o． 一个重要的课题¨_3 有许多方法可以用来测定晶体的生长极性，比 如能量色散x射线谱HJ，共轴碰撞离子散射谱¨]，会 聚束电子衍射(CBED)№o，透射电镜高分辨像 (HRTEM)E7]和电子能量损失谱(EELS)L8J．此外，电 子全息方法(EH)也可以用来测定晶体的生长极性． )叵 Xu等研究了通过极性晶体样品表面电荷分布引起 的电子全息像相位变化来判定极性的方法拉o， Lichte等研究了通过晶体内部微区全息相位变化来 进行极性判定的方法∞o．本文的研究对象为 GaN／A1GaN多量子阱结构，不再是单一的极化作用， 图l样品结构示意图 而是多重极化共同作用的结构．值得指出的是，使 用这种判定方法，即使对厚度变化明显的样品，仍然 供电子显微实验观察研究的截面样品经由传统 不需要对样品的厚度情况进行任何测量． 工艺制备，最后由氩离子束溅射下双面减薄制成． CM200一FEG透射电镜上进 电子全息实验在Philips 2．实验样品和仪器 行，全息成像偏压都为130V，此时全息成像范围在 40nm左右．电子全息照片通过电镜CCD照相机照 实验样品是用金属有机物化学气相沉积方法 相得到，拍照时放大倍数在一百万左右，由于镜头大 *国家重点基础研究发展规划(批准号：2002CB613500)资助的课题 tE—mail：yzliu@blem．ac．cn 物 理 学 报 55卷 小的限制，所得照片的尺寸为23nm×23nm．电子全 表2 A1N，GaN晶体的一些参数‘10 息照片的分析处理都是通过装有Holoworks插件的 Gatan Micrograph软件完成． Digital 3．结构极化和电场 3．1．GaN／AIGaN多量子阱结构生长极性和极化 六方纤锌矿型结构的Ga