1.3 μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究 Study on Photolithographic Processing for 1.3 μm Quantum-well SLD.pdfVIP

下载本文档

3
0
约9.39千字
约 3页
2017-08-03 发布于上海
举报
版权申诉

1.3 μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究 Study on Photolithographic Processing for 1.3 μm Quantum-well SLD.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

SEMICoNDUCToRoPTOELECTRoNICSVoI．28NO．3 June2007 材料、结构及工艺』 1．3 吴天伟，武斌 (重庆光电技术研究所。重庆400060) 摘要：量子阱结构超辐射发光二极管(SLD)具有良好的温度特性和一致性。简要介绍了一种1．3m量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构，就该结构的一次光刻工艺进行了详细介绍。通过一系列的实验，确定出一个在现有条件下一次光刻的最佳工艺条件。关键词：超辐射发光二极管；量子阱；光刻 on fOr SLD 1．3 StudyPhotolithographicProcessing Quantum—weU pm WUTian—wei，WUBin R船earch 400060，CHN) (Ch蚰酮ingopt∞IectronicsI鹏titute，Chongqing Abstract：The and of temperatureperformancestabilityquantum—well diode(SLD)arebetterthanthoseofnormalSLD．0ne structureofthe epitaxy 1．3肚mquantum— wenSLDandits are conditionsforthe introduced． photolithographyprocessing Optimal present areobtaineda seriesof at condition． photolithographicprocessing by experimentspresent words： luminescent Key super 1 引言文主要介绍其中的一次光刻工艺。超辐射发光二极管(SLD)是一种自发辐射的单程光放大器件，它的特性介于激光二极管(LD)和发2 光二极管(LED)之问，相对LED有较高的输出功刻率，相对LD有较宽的光谱宽度(从)。SLD具有相干长度短的特性，作为光纤陀螺和波分复用系统的光源，它可以显著降低光纤圈中瑞利背向散射和非线性克尔效应所引起的噪声以及光纤中的模式分配进行一次光刻。其外延生长后的层次结构如图1所噪声。示。 SLD主要的热源来自非辐射复合过程、焦耳热以及辐射的再吸收[1]。由于SLD温度的上升，从而限制了SLD在连续电流或短脉冲工作状态下的最层大输出光功率口1；又由于温度的上升使得发射光谱发生漂移，限制了器件的稳定性，SLD的寿命也随