CdS_SiO_2纳米棒核_壳结构的制备和发光性能.pdf

物理化学学报（ ） #$% ’$()$* +$*,(- ， （）： I+. . /0( 12345 67285 9: ’**’ (+ : ? J ?; ? 纳米棒核 壳结构的制备和发光性能! !#$ #%’ $ # ! # # # # # 匡汉茂 邓兆祥 李春辉 孙晓明 庄 京 李亚栋 # ! （清华大学化学系，北京 #;? @ 江西井岗山师范学院化学系，吉安 =?=% ） （ ） 摘要 利用在醇介质中氨水催化水解硅酸乙酯 A)BC 制备C,B! 来包覆半导体D/C 纳米棒而形成D/CE C,B! 核E （ ） （ ） 壳结构 通过 射线衍射 、透射电子显微镜 证实 包覆壳层为非晶，且壳层厚度随 浓度的 F FGH A)I C,B! A)BC （ ） ( 9 增大而增加，在 之间 并研究了其紫外 可见吸收光谱 和荧光发射光谱 MN 的性质 # J = 3* $ KL$L,2 关键词 核壳结构， 纳米棒， 半导体， 复合结构， 发光光谱 ’ D/C 中图分类号’ BO?% ? 纳米材料因其量子限制效应和尺寸效应而具 核 壳结构的合成 () ( $ 有很多独特的物理和化学性质 硫化物半导体如 纳米棒的制备方法同文献Q R 将 粉 D/C : ’ D/ （ ） （ ） （ ） D/C 具有较窄的禁带宽度 !4 P ! : 7L ，对可见光 %% %%%V 和C 粉 %% %%%V 按等摩尔比混合均 敏感而广泛应用于光电领域 通过控制D/C 的尺 匀加入带聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，加入 寸可以人为地对其禁带宽度进行调节，从而可以改 乙二胺至总体积的V ，在#! J #% W 反应= J O 变其发光性质 但它不稳定，易被光解 另外， 反应结束待反应釜自然冷却后，过滤出沉淀产