高al组分alxga1-xn薄膜的弹性-塑性力学性质 elastic-plastic mechanical properties of alxga1-xn thin films with high al composition.pdfVIP

第28卷第10期 半导体学报 VoI．28No．10 2007年10月 CHlNESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Oct．，2007 高Al组分AIxGa。一卫N薄膜的弹性一塑性力学性质。 许福军1 沈 波1’’ 王茂俊1 许谏1 苗振林1 杨志坚1 秦志新1 张国义1 蔺 冰2 自树林2 (1北京大学物理学院人工檄结构与介观物理国家重点实验室．北京100871) (2北京大学工学院先进材料与纳米技术系，北京100871) 性转变行为．研究表明，AI；Gal．：N薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大，薄膜中产生塑性形变所必要的 剪切应力也随着^J组分的增加而增大．在A1，Gal．，N薄膜纳米压痕实验中，观察到位移不连续的跳断(“pop-in”) 行为．并且发现“pop-in”行为强烈依赖于—d组分，Ju组分的增加导致这种行为的减少．我们认为随着Al组分的增 AI．Gal-zN中新位错形成的阻力，从而导致了AI，Gat一，N薄膜中的“pop-in”行为随AI组分增加而减少． 关键词：AI；Gat一。N薄膜，杨氏模量；力学性质’塑性形变 PACC：0630M 中圈分类号：0472+．91文献标识鹤：A 文章编号：0253-4177{2007J10-1551-04 的Al，Ga，一，N薄膜是一种较好的选择：“”． 1引言 本文采用纳米压痕方法对生长在AIN／sap— 近年来，A1，Ga,一，N合金以其在紫外和深紫外塑性力学性质以及其对～组分的依赖关系进行了 探测器和发光器件领域的巨大应用价值和实用前景 研究． 已经成为Ⅲ族氮化物半导体研究领域的新热 2实验 点[1“]．对基于AI，Gal一，N合金的器件应用而言， 全面理解AI；Ga。一，N合金的基本物理性质非常重 采用低压金属有机物气相沉积(LP—MOCVD) 要，除了光学和电学性质，它的力学性质也非常值得 技术生长非故意掺杂AI。Gat一；N薄膜过程如下：首 关注，事实上，对Al，Gal一；N合金力学性质的准确 评估和了解对于器件的加工处理非常有益，因为采 A1N作为模板，然后在A1N模板上生长不同舢组 用异质外延的AI，Ga。一；N材料通常有很大的剩余 分的Al；Ga-一，N薄膜．我们制备了三个Al组分x 内应力．同时，Al，Ga。．，N合金的一些力学参量，如 弹性常数，对于评估AI，Ga。一。N基量子结构和器件 中的压电效应非常重要． 薄膜厚度，Al组分等总结在表1中．我们采用 作为一种测量半导体力学性质的工具，纳米压 痕能够提供许多力学信息，如弹性常数以及它们随 表l 探头刺入深度的连续变化情况H～．除此以外，纳米 表莅参数和与弹性·塑性转变柑关的临界参数 results films 压痕方法也是测量固体薄膜材料的理想工具口。]． Table1 CharacterizedofA1；Gal．；N on andthecritical templates pa· grownAIN／sapphffe Ca’ccrc$等人跚采用这种方法，研究了生长在c面