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第8卷，第2期 电 子 与 封 装 总第58期
Vol 8 NO 2
． ． ELECTRONICS PlACKAGING 2008年2月
徽 电 子¨ 、制，， 、造_与 可 t
半导体电浆制程的危害及防治
周庆萍 ，黄琪煜 ，陆 峰
(1．上海交通大学微电子学院，上海 200030；2．中芯国际(上海)集成电路有限公司，上海 201203)
摘 要：随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术，电浆已被越来越广泛的应用在半导体
的制造过程中。由于电浆环境充斥着高能量的粒子和带电的离子及电子，所以对半导体元件结构有潜在
性的破坏效应。而这种破坏效应主要是对栅极氧化层的电性损伤，进而影响器件的良率及可靠性。因此
我们必须要了解电浆损伤的成因及科学的侦侧方法，并在此基础上试图找到一些方法防止电浆损伤的发
生。文章讨论了半导体电浆制程对器件的危害及防治措施。
关键词：集成电路；电浆损伤；天线效应
中图分类号：TN405 文献标识码：A 文章编号：1681—1070(2008)02—0033—04
Plasma Induced Damage and Prevention
ZHOU Qing-ping ．HUANG Qi—yu ．LU Feng
(1．School ofMicroelectronics，Shanghai Jiaotong University，Shanghai 200030，China；
2．SMIC,Shanghai201203，China)
Abstract：With the technology of semiconductor manufacture developed to deep—submicro，Plasma is widely
used in IC manufacture process．And with the development of semiconductor manufacture，Plasma must be used
more widely in the future．Because plasma environment include high energy particle and being charged ion，
semiconductor device have the high risk being damaged．The damage is major to MOSFET gate oxide quality，
then impact the VLSI yield and reliability performance．So we must know the reason and measurement method of
plasma induced damage，Then try to prevent this dam age happen．Here we will discuss the plasma induced
dam age and preventive action．
Key words：integrated circuits；plasma induced dam age；antenna effect
是厂商所必需面对与解决的问题。本文将简单介绍一
些电浆制程的损伤效应，主要重点在于了解其起源，
1 引言
测试结构与分析方法以及改善的办法。
随着半导体制造
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