半导体硅熔体电导率的间接测量.pdfVIP

第37卷 第1期 人 工 晶 体 学 报 V01．37 No．1 2008年2月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS February．2OO8 半导体硅熔体电导率的间接测量 徐岳生，刘彩池，王海云，张 雯，石义情 (河北工业大学信息功能材料研究所，天津300130) 摘要：本文通过在磁场下测定硅熔体的粘度，根据田 =( 6) or关系式，间接计算出硅熔体的电导率。其结果与 用其他方法测试的数值吻合。用电子导电、离子导电的变化，解释了硅熔体在1420～1690~C范围电导率的变化，研 究结果对指导大直径硅单晶生长具有实际意义。 关键词：环境相；磁粘度；熔硅电导率 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2008)01-0102-02 Indirect Measurement of Conductivity of Silicon Melt XU Yue·sheng，LIU Cai·chi，WANG Hai—yun，ZHANG Wen，SHI Yi·qing (Institute of Information Function Material，Hebei University of Technology，Tianjin 300130，China) (Received 7 March 2007) Abstract：The conductivity was calculated by me~ufing the viscosity of silicon melt in the magnet field and according to the relationship of If=( 6) ．The results were consistent with the value reported by other method．The variety of silicon melt conductivity at the range of 1420~(：to 1690~(：was explained with the variety of electrons and ions．Th is work is significant to the growth of large diameter silicon． Key words：environmental phase；magnetic viscosity；conductivity of silicon melt 1 引 言 晶体生长向大直径发展应该重视对环境相的研究¨．2 J。以半导体硅单晶生长为例，晶体和熔体(浓厚的 环境相)本来是对立统一的两个方面，长期以来，由于追求晶体质量和成品率，忽视了环境相的变化和对晶 体的影响。在大直径晶体生长计算机模拟过程中，对环境相的重要物性参数 (熔体动力粘滞系数 ，表面 张力．厂，体膨胀系数JB，热扩散系数，c，电导率 等)缺乏精确的研究，给模拟带来重大误差。经典晶体生长理 论把熔体看成连续介质，不考虑其结晶效应。但在过冷和磁场条件下，环境相(熔体)中形成一定尺寸，一定 几何晶型的生长“基元”。环境相中发生的浓度与密度的起伏也应该是正常的。本文首次提出了一种通过 测定磁场条件下硅熔体粘度，然后间接测试熔硅电导率的方法并研究了1420cI=(硅熔点)至1690cI=熔硅电导 率的变化规律，并对其进行了合理的解释。 2 实 验 由钕铁硼引人可变化的水平磁场，用旋转震动法测硅熔体的有效粘度(磁粘度)。测试粘度的实验装置 收稿日期：2007-03-07 基金项目：国家自然科学基金资助项目(No和教育部科学研究重点项目(No．205017) 作者简介：徐岳生(1934-)，男，湖南省人，教授。E-mail：yueshengxu@eyou．corn