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第29卷 第 1期 半 导 体 学 报 Vo1．29 No．1
2008年1月 JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan．，2008
A Temperature-Dependent Model for Threshold Voltage and Potential
Distribution of Fully Depleted SO1 MOSFETs
Tang Junxiong，Tang Minghua ，Yang Feng，Zhang Junjie，Zhou Yichun，and Zheng Xuejun
(Key Laboratory of Low Dimensional MaterialsApplication Technology of the Ministry of Education
Faculty ofMaterialOptoelectronic Physics，Xiangtan University，Xiangtan 411105，China)
Abstract：A temperature-dependent model for threshold voltage and potential distribution of fully depleted silicon—on-
insulator meta1．oxide．semiconductor field．effect transistors is developed．The two．dimensional potential distribution func．
tion in the silicon thin film based on an approximate parabolic function has been applied to solve the two—dimensional
Poisson’s equation with suitable boundary conditions．The minimum of the surface potential is used to deduce the threshold
voltage mode1．The model reveals the variations of potential distribution and threshold voltage with temperature，taking in·
to account short．channel effects．Furthermore，the model is verified by the SILVACO ATLAS simulation．The calculations
and the simulation agree wel1．
Key words：fully depletedsilicon—on-insulator MOSFETs；potential；threshold voltage
EEACC：2560；2560R
CLC nilmber：TN386 Document code；A Article ID：0253-4177(2008)01-0045—05
paper，a model of potential distribution and threshold
1 Introduction voltage for FDSOI MoSFETs over a wide tempera．
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