全集成低相位噪声LC压控振荡器设计.pdfVIP

l…H巾国集成电路 堪 I ■●■ ● China Integrated Circuit ，· —— 全集成低相位噪声LC压控振荡嚣设计 刘颖异，王志功，钱照华 (东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心，江苏南京 21 0096) 摘要：提出了一种应用于ISM频段的低相位噪声LC VCO。电路采用TSMC 0．1 8“m 1P6M混合信号 CMOS工艺进行设计，芯片版图面积740“m x 700“m。在电源电压为1．8V时，后仿真结果表明，电路工 作频率为2．4GHz时，调谐范围为2 3％。在偏离中心频率1MHz处，相位噪声为一1 24．2dBc／Hz。核心部分 功耗约为7．56mW。 关键字：压控振荡器、片上电感、Q值、相位噪声、CMOS工艺 2．4GHz Monolithically Integrated Low Phase Noise LC Voltage Controlled Oscillator HU Ying-yi，WANG Zhi-gong，QIAN Zhao-hua (Institute of RF一＆OE—ICs，Southeast University，Nanjing 2 10096，China) Abstract：A monolithically integrated low phase noise LC voltage controlled oscillator (VCO) in an ISM band is presented．It is designed in TSMC’S 0．18- m mixed-signal 1P6M CMOS process．The layout size is 740 m x 700 m．With a 1．8V supply voltage，the post—simulation gives a phase noise of一124．2dBc／Hz at 1MHz off the carri— er of 2．4GHz．The percent tuning range is 23％and the core circuit dissipated a power of about 7．56mW． Keywords：Voltage controlled oscillator，On—chip inductor，Quality factor，Phase noise，CMOS process 1 引言 5dBc／Hz。 由于CMOS工艺的截止频率已经达50GHz以 2 电路设计 上。同时，CMOS工艺具有便于集成和低成本的特 点，片上电感的Q值已经可达10以上。这些条件使 目前，应用最广泛的振荡器主要有两种，环形振 得 CMOS工艺的全集成高性能 Lc压控振荡器 荡器和Lc调谐振荡器。其中Lc调谐振荡器具有较 (VCO)成为可能。本研究在Cadence平台上利用 好的相位噪声特性，交叉耦合振荡器属于Lc调谐 Spectre工具完成一个LC VCO的前后仿真。仿真结 振荡器的一种，它不但具有良好的相位噪声杼陛，而 果表明电路中心频率为2．22GHz，调谐范围为23％。 且可以输出正交的正弦信号。交叉耦合振荡器一般 在偏离中心频率 1MHz处，相位噪声为 一129． 有两种结构，NMOS交叉耦合结构和NMOS—PMOS http：llwww．cicmag．COffl l雹圜 !垫箜 塑 45 交叉耦合结构。相对于NMOS交叉耦合结构， 究采用了如图2所示的电感模型『11并利用Agilent公 NMOS—PMOS交叉耦合结构具有更大的输出电压幅 司的ADS高频仿真软件在2．2GHz到2．7GHz之间 度、较小的功耗和更小的1／f 3噪声拐点。但是，由于