可膨胀石墨的化学氧化法制备及其表征.pdfVIP

第28卷第2期 中 国 科 学 技 术 大 学 学 报 V0I．28，NO．2 1 9 9 8年 4月 JOURNAL OF CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY Apr．1 9 9 8 可膨胀石墨的化学氧化法制备及其表征‘ zD 一 0 张增辉。周贵 『； ， 摘要 采用H O 化学氧化法制备可膨胀石墨，并成功地应用于百套斤扭石墨原料 量的批量生产．I艺简单方便，必要时，可通过后处理增强体系夹层反应能力，提高 产物可膨胀体积客量．还讨论了产物的x一射线衍射和热分析表征、夹层反应中氧化 荆的作用和选择． ． ． l 石墨层面电导率可达2．5Xi0‘n—i~m-。，当它通过衷层反磨插A外来客体后，层面电 导有可能-大幅度提高．这类反应及其化台物对发展焉机化攀反应或无机化台物具有重要毒 义．有利于新型无机材料，特别是高电导材料和摧化剂舶开发应用，也是高比能电浊的鞲 在电极材料 J．石墨一H。sq夹层反应声聱(GHC)具有较大的可膨胀体积容-量 作为高温 密封材料被广泛用于化工、冶金、机械、航天航空等领域．最近我们观察 ，该化舍物的1低_温 比热除有不寻常增加外，还在某些温区出现略宽l的尖锐峰高变化+似乎有点“类似于”纳米 材料的低温比热行为．因此，继续重视GHc化台物的研究有重要现实意义． ， ， 可膨胀石墨制各一般有电化学和化学氧化法两种．电化学氧化l对设备要求较高，影响 产品质量医素多，有时环境温度提高台使产物可膨胀容积大幅度下降；常皿的化学氧化法 有混台酸 、KMnO．或K2CrtO，氧化口 等 前眷使用浓HI~O,／H2S0‘，使体系温度增高， 产生氯氧化物严重污染环境，=KMnO。或Kzcf。 法可在常诹下操作，但成本高，产物灰分 也高．文歙中旦有采用H。O。作氧化捌的报道 ]，不过由于它对石墨氯化程魔的控制因素 复杂，有时往往“过度”氧化导臻方法失敢，本文避一步研究可膨胀石墨的}i Q他学氧化法 制各，提出可膨胀容积后处理增强方法，该法已成功应用于百公斤级石墨原料量的批量生 产．作者还通过X一射线衍射、热分析、氧化剂氧化还原电位与石墨电化学氧化中旅H：Sq实 际电位和阶层的关系等，讨论央层反应中氧_化矾的作用和选择． 收稿日期：i996—08 09． *国家自黉!}科学基盒资助项目 2O6 中国科学技术戈学学报 第28喜 2 实验部分 原料系古碳量99 以上32~80目天然鳞片状石墨，其余如浓H2SO 、H2O2、KMnOt等 在实验室研究时均使用分析试剂，当超过公斤量级时，使用工业用原料．制各的一般步骤 为：将不同配比的H O。溶液、石墨和浓 H SO．以不同的程序_加入．在不断搅拌下反应一定 时间，然后水l抗至中性．离心分离脱水后6O℃干燥．当需妻后处理时，上述水洗前的泥浆 状初级产物在搅拌下加人一定量的KMnO。粉末反应0．5小时，然后再水洗、离心和干燥． 所得产物按国家标准10698—89测定可膨胀容积及其它有关分析量如灰分、挥发分、水分、 筛余量和含硫量等．物相分析采用丹东射线集团公司Y一4Q和日本理学D／max—rA型转靶 x一射线衍射仪，Cu靶K。(辐射n=0．15418 nm)．透射分析只在后者中进行．样品载于厚为 0．01mmNi箔上，工作电压和电流为40 kV，100mA，发散狭缝DS和散射狭缝SS分别为 (1／6)。和l。，接受狭缝0．15 mm．热分析采用日本岛津DT一50热分析装置．高纯N z流动气 氛，升湿速率小于l0C／分．最高湿度1000 C． 3 结果和讨论 3．1 可膨胀石墨的H O 化学氧化法制备及其可膨胀窖积的后处理增强 H：O 作氧化剂制各可膨胀石墨时，它和H：S()．_舶藏度骰用量影响产梅可膨胀容积 J