高性能HIT太阳电池的开发及业务开展研究.pdfVIP

光伏发电系统及光伏工程．473． 高性能HIT太阳电池的开发及业务开展 中岛武 丸山英治 田中诚、 三洋电机株式会社 先进能源研究所 太阳能能源研究部 电力用太阳电池的生产量急剧地增长。2004年，1全世界的年度总生产量超过了lGW， 到了2006年，更是超过了2GW／年的强劲势头。占其中约90％的是具有相当历史的结晶硅 太阳电池。它的单位面积的输出大，在有限的面积上能够得到更高的发电量，而且其单位输 出的成本相当低。 ·． ， 量化技术的基础上，现在进行了单结晶硅和非晶型硅的混合太阳电池，即内禀薄层异质结HIT with I_ntrinsic (Heterojunetion 征和最近的成果的同时，也介绍一下今后的打算。 1 HIT太阳电池的构造及特征 厚5～10 rim)和背面侧的妇型a—si膜(膜厚5～10nm)夹住单结晶si片的构造为特征的。 且在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称 ’ 构造的HIT太阳能电池。由于HIT太阳能电池使用a．Si 构成pn结；所以能够在2000C以下的低温完成整个工序；． 和原来的热扩散型的结晶太阳电池的形成温度(-900。C) 相比较，大幅度地降低了制造工艺的温度。由于这种对称 构造和低温工艺的特征，减少了因热量或者膜形成时产生 的si晶片的变形和热损伤，对实现晶片的轻薄化和高效化 来说竺兰苎褒跫鬯i …．：。，．。，．… … 图1 HIT太阳能电池的构造…n¨…～…～ 一 在原来的结晶si太阳电池中：使用Si02或者SiN si相比能隙更宽，由于是异质结，内电场升高。另外，很大程度上影响太阳电池性能的 界面电场处在结晶表面侧的耗尽层内。其结果，由于很强的内电场，使载流子分离，而在 结晶表面侧的复合则难以产生。这是后面要说明的HIT太阳电池高的开路电压(V。。)的 一个原因。该高V。。是HIT太阳电池的一个特征，也是后面要说明的实际发电量升高的一 个主要因素。 ·474· 中国太阳能光伏进展 2 HIT太阳电池的钝化效果‘31 相比较的示意图。p／n异质结太阳电池中所发现的正向电流 特性(O．4V附近)’的变化是由于a．si顶层膜中存在的高密 度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此， 飞 在顶层和结晶si之间插入高质量a—si膜(i型a-Si膜)，通最 过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT构造。根据装 图2，通过导入约5nm左右的薄膜i型a．Si层，可看到反4 向的饱和电流密度降低了约-2个数量级：亦即通过导入i S 喜萋 磊誊 寿命(11s) 0 500 1000 1500 2000． (化学钝化) 载流子寿命(口s) 图3CP法和HIT构造寿命的关系 图4V。和寿命的关系 ● 3 HIT太阳电池优异的温度特性 下面我们对HIT太阳电池的高V。特性究竟能给用户带来什么样的好处作进一步的说 明。一般情况下，太阳电池的输出特性依存于温度，温度上升则输出电压减少。图5表示 光伏发电系统及光Ve．：r--程．475． 把各种太阳电池在25。C时的转换效率归为1时的温度的变化率。HIT太阳电池和一般的 结晶si太阳电池相比，其温度依存性得到了改善，可以说在夏天的高温条件下是一种更 实用的太阳电池。图6表示HIT太阳电池的输出温度系数(图5的斜率)和V。。的关系。 可以发现，V∞越高输出特