采用SiN钝化介质研制的高性能AlGaNGaN+HEMT器件研究.pdf

采用SiN 钝化介质研制的高性能AlGaN/GaN HEMT 器件† † 刘 键 李诚瞻 郑英奎 和致经 刘新宇 吴德馨 （中国科学院微电子研究所，北京 100029） 摘 要：本文系统研究了AlGaN/GaN HEMT 器件采用SiN 介质钝化前后的电流崩塌效应。通过系统研究和优化SiN 介质薄膜钝化工艺，有效的抑制了器件电流崩塌效应。研制了高性能的AlGaN/GaN HEMT 器件。栅宽40 微米的器 件跨导达到250ms/mm ，fT 达到70GHz ；栅宽0.8mm 的功率器件电流密度达到1.07A/mm( Vg=0.5v)，Vds=30V 时， 8GHz 工作频率下（在片测试）器件的输出功率为32.5dBm(1.6W)，输出功率密度达到2.14W/mm ，功率增益为12.7dB。 关键字： AlGaN/GaN HEMT；电流崩塌；钝化薄膜 EEACC：2570 中图分类号：TN325+.3 文献标识码：A 1 引 言 新一代化合物半导体 GaN 具有优越的材料性能，十分适合制造高频大功率器件，其器件和电 路在军用和民用领域有广泛的应用前景。由于GaN 异质结特有的二维尺度上的大电子气密度，GaN 基HEMTs 具有十分优越的微波功率和噪声特性，大功率高频低噪声GaN AlGaN/GaN 器件和电路在 军用和民用领域有广泛的应用前景[1，2 ，3] 。 目前GaN AlGaN/GaN 器件面临最大的问题是电流崩塌效应。所谓电流崩塌效应是指在施加直 流或射频信号的情况下器件漏电流发生大幅度下降，他会直接影响器件的输出功率。虽然开展了很 [4] 多与此相关的研究工作，对电流崩塌的机理提出多种不同的解释，如GaN 缓冲层电子陷阱理论 、 [5] [6] [7] 虚栅理论 、极化理论 、表面态电子陷阱理论 等等。但是，目前关于电流崩塌的机理并没有形成 统一的认识。尽管如此，大量实验表明：通过对器件表面进行钝化可以有效抑制电流崩塌效应，提 高器件性能。 [8] 一些研究 表明通过SiN 钝化显著地减小栅延迟的情况，但是不能完全排除栅延迟现象。直流 应力表明，直流应力使器件输出特性出现退化，但是未钝化的器件最大电流退化 37% ，钝化后的器 件退化只有 16%，表明SiN 钝化层能明显抑制电流崩塌现象，但是施加直流应力之后再对其进行脉 冲测试，器件又出现有严重的电流崩塌现象，这很可能由于热电子碰撞在SiN/AlGaN 界面产生陷阱， 使栅漏之间的电子陷阱密度增加。 本文通过系统研究SiN 钝化前后器件直流特性的变化，对电流崩塌效应进行了分析，获得了较 好的工艺钝化技术。并通过器件工艺的优化，获得高性能的AlGaN/GaN HEMT 器件，栅宽40 微米 的器件跨导达到 250ms/mm ，fT 达到 70GHz ；栅宽 0.8mm 的功率器件电流密度达到 1.07A/mm( Vg=0.5v)，Vds=30V 时，8GHz 工作频率下（在片测试）器件的输出功率为32.5dBm(1.6W) ， † 国家自然科学基金委员会与香港研究资助局联合（No.）资助项目； 国家重点基础研究发展计划（No. 2002CB311903 ）资助项目； 中国科学院重点创新（No. KGCX2-SW-107）资助项目。 † 刘键: liuj_12222@ 160 输出功率密度达到2.14W/mm ，功率增益为12.7dB。 2 实 验 实验采用由中国科学院半导体所和物理所提供的2 英寸AlGaN/GaN 外延材料，材料采用金属 有机物化学气相淀积（MOCVD ）技术制备。衬底为（0001 ）面的蓝宝石上生长3.5um 的GaN 缓冲 层。势垒层为24nm 非掺杂AlxGa1-xN 结构，其中Al 组分为x=15% 。霍尔测量得出室温下二维电子 13 2 2 气的浓度为 1.3×10 /cm ，迁移率为1120cm /VS 。材料均匀性误差5% 。 AlGaN/GaN HEMT 工艺流程：利用ICP干法刻蚀实