第三章-光信息存储技术与光盘PPT.ppt

第三章 光信息存储技术与光盘; 　光盘存储技术研究始于60年代，真正获得发展在70年代。　　1972年用聚焦的氢离子激光束在记录介质上烧蚀微孔的方法录制电视节目，用氢－氖激光扫描信息轨道，按反射强度的变化再现已录的信息。　　1978年激光电视唱片正式在市场出售。　　1982年出现了记录带有声音的静止图象的光盘．　　1984年日本研制出可反复擦写的光盘。目前，借助于各种软、硬件，光盘已可以达到数据、图象、声音的综合处理。;§5.1 光盘及存储类型;§5.1 光盘及存储类型;§5.2 只读存储光盘;5.2.2 ROM光盘主盘与副盘制备 图5－2时光盘制备过程示意图。经过调制的激光束以不同的功率密度聚焦在甩有光刻胶的玻璃衬盘上，使光刻胶曝光，之后经过显影、刻蚀、制成主盘（又称母盘，master），再经喷镀、电镀等工序制成副盘（又称印膜，stamper），然后再经过“2P”注塑形成ROM光盘。 图5－2 ROM光盘制备过程示意图;图5－3 ROM主盘、副盘制备工序（P233）;衬盘甩胶。对玻璃等衬盘进行精密研磨、抛光后进行超声清洗，得到规格统一、表面清洁的衬盘；在此光盘上滴以光刻胶，放入高速离心机中甩胶，以在衬盘表面形成一层均匀的光刻胶膜；取出放入烘箱中进行前烘，以得到与衬底附着良好且致密的光刻胶膜。 调制曝光。将膜片置入高精度激光刻录机中，按预定调制信号进行信息写入。 显影刻蚀。将刻有信息的盘片放入显影液中进行监控显影，若所用光刻胶为正性光刻胶，则曝光部分脱落（若为负性光刻胶，不曝光部分脱落），于是个信息道出现符合调制信号的信息凹坑，凹坑的形状、深度、及坑间距与携带信息有关。这种携带有调制信息的凹凸信息结构的盘片就是主盘。由于此过程中所用的光刻胶一般为正性，因而所得主盘为正像主盘。 喷镀银层。在主盘表面喷镀一层银膜。这层银膜一方面用来提高信息结构的反射率，以便检验主盘的质量，另一方面，还作为下一步电镀镍的电极之一。 电镀镍层。在喷镀银的盘片表面用电解的方法镀镍，使得主盘上长出一层厚度符合要求的金属镍膜。;将上述盘片经过化学处理，使得镍膜从主盘剥脱，形成一个副盘。 上述主盘每一个都可用通过（5）、（6）步骤的重复，制得若干个副像子盘－副盘；而每一副盘又都可以通过（5）、（6）步骤的重复，制得若干个正像子盘。 5.2.3 ROM光盘“2P”复制 将上述所得正像或副像子盘作为“印膜（stamper）”加工中心孔和外圆后装入“2P”喷塑器中，经进一步的“2P”复制过程来制作批量ROM光盘。 “2P”是photopolymerization(光致聚合作用)一词的缩写，其物理过程如图5－4所示。 总的来讲，只读存储光盘的记录介质是光刻胶，记录方式是用声光调制的氩离子激光器将信息刻录在介质上，然后制成主盘及副盘，再用副盘作为原模，大量复制视频录像盘或数字音像唱片。一个原模一般可复制至少5000片盘片。 ;ROM光盘“2P”复制;§5.3 一次写入光盘;烧蚀型 存储介质可以是金属、半导体合金、金属氧化物或有机染料。利用介质的热效应，是介质的微区熔化、蒸发，以形成信息坑孔[图5－5（a）]。 起泡型 存储介质由聚合物－高熔点金属两层薄膜组成。激光照射使聚合物分解排出气体，两层间形成的气泡使上层薄膜隆起，与周围形成反射率的差异而实现信息的记录[图5－5（b）]。 熔绒型 存储介质用离子刻蚀的硅，表面呈现绒状结构，激光光斑使照射部分的绒面熔成镜面，实现反差记录[图5－5（c）]。 合金化型 用Pt－Si、Rh－Si或Au－Si制成双层结构，激光加热的微区熔成合金，形成反差记录[图5－5（d）]。 相变型 存储介质多用硫属化合物或金属合金制成薄膜，利用金属的热效应和光效应使被照微区发生非晶到晶相的相变[图5－5（e）]。;5.3.2 烧蚀型写/读光盘对存储介质的基本要求 分辨率及信息凹坑的规整几何形状：这是为例保证光盘能在高存储密度的情况下获得较小的原始误码率。 没有中间处理过程：存储介质要能实时记录数据并及时读出信息，不需要任何中间处理过程，只有这样才可能使光盘能实现写后直读（即direct read after write, DRAW功能）以保证记录数据的实时校验。 较好的记录阈值：记录阈值是指在存储介质中形成规整信息标志所需要的最小激光功率密度。只有适当的记录阈值可以使信息被读出次数大于108次仍不会使信息凹坑发生退化，记录阈值过高或过低都会影响凹坑质量和读出效果。;;记录灵敏。要求存储介质对所用的激光波长吸收系数大、光响应特性好，能在较高的数据传输速率、保证波形不失真的情况下，用很小的激光功率形成可靠的记录标志。如用波长830nm、达到盘面功率10mW左右、脉宽可调的激光对高速转动的多元半导体记录时，可获得每秒几兆字节的数据速率。