CDUESTC—WDZ-LIN（集成电路反向设计）3实验二 模拟器件提取2 CDUESTC—WDZ-LIN.pptVIP

实验二 模拟器件提取（二） 一、实验目的： 能够识别普通PMOS、NMOS、特殊MOS管、提取MOS管参数、能够提取相同结构的模拟器件 二、实验内容： 提取A2工作区MOS管，与其它模拟器件 三、实验步骤 1.追线，将mos管衬底电位线全部追完。 按 N 画线， Shift+左击为转弯 2.单个MOS管提取 （1）根据衬底掺杂类型判断MOS为N管还是P管 （2）看衬底电位是否接到电源（或 地线） 还是有单独的电位，确定是提成三段MOS还是4端MOS。 （3）点击常用快捷键栏的 添加MOS管图标 填写mos类型（默认为三段pmos） 点击确定 单个管子的图像 参考尺寸W=14，l=0.8 4.并联MOS管 在模拟电路中为了减小单个管子的电流压力，通常采用并联结构。 对于相同尺寸，相同类型Mos管，如果G全连在一起，S全连在一起，D全连在一起，那么可以将它提成一个mos管，只要再添加一项并联属性值即可。 （1）方法与提取单个管子一样，只是框定的区域是为所有在一起并联的整个区域。 8个nmos管并联图 （2）调整端口位置，添加尺寸。 添加bn值，添加并联参数m与并联值。 该管的参考尺寸 w =14，l=7 (3) 完成其他并联mos管的提取. 9.其他重复电路 为了减少连pin与电路整理的麻烦，如果有重复的电路，一般当一个模块整理。 10.提取剩下的两个模块 （1）命名为FN03 练习1 提取的电路图 （2）练习2 命名 FN04 电路图 * * （4）调整端口位置，根据电流的走向确定mos管源漏，添加尺寸。 （5）添加bn属性值（根据衬底电位信号线添加）;选中实例，按 Enter更改属性。 （1）观察重复电路的最小单元，用框定数字单元的方法框定最小单元的区域。 可以根据输入输出添加端口。也可以建立库时再添加端口 整理库中的电路 用复制的方法将工作区中其他的单元提取完。 *