CN107164734-CN201710427438-一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107164734 A (43)申请公布日 2017.09.15 (21)申请号 201710427438.1 (22)申请日 2017.06.08 (71)申请人 电子科技大学 地址 611731 四川省成都市高新区（西区） 西源大道2006号 (72)发明人 刘爽　谭晓川　王天钰　谢翼骏　 马世俊　郭丽娜　刘永　钟智勇　 (74)专利代理机构 成都点睛专利代理事务所 (普通合伙) 51232 代理人 葛启函 (51)Int.Cl. C23C 14/24(2006.01) C23C 14/06(2006.01) C23C 14/18(2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜 及其制备方法，属于闪烁体探测器技术领域。本 发明通过采用真空热蒸镀法在衬底上先后镀制 掺铊碘化铯薄膜和纳米级别的铝膜，由于铝膜在 潮湿空气中会形成致密的铝氧化物，有效阻止空 气中水分子进入掺铊碘化铯薄膜，因此本发明能 够克服掺铊碘化铯薄膜容易潮解的缺陷，避免了 潮解对掺铊碘化铯薄膜的光转换效率和空间分 辨率等性能指标的影响；铝膜具有附着能力强、 质硬耐磨等优势，能够有效地避免掺铊碘化铯薄 膜受到损伤；另外，本发明制备工艺简单可控、成 本低廉，有利于工业化生产。 A 4 3 7 4 6 1 7 0 1 N C CN 107164734 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜，其特征在于，包括：掺铊碘化铯薄膜及沉积在其上的铝 膜，所述铝膜在掺铊碘化铯薄膜上面形成致密防潮层。 2.根据权利要求1所述的一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜，其特征在于，所述铝膜的厚度为 200～300nm。 3.一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜的制备方法，具体包括如下步骤： 步骤A：将掺铊碘化铯粉末置于舟状蒸发源上，然后将洁净干燥的衬底置于所述舟状蒸 发源上方载物台，在真空环境下，加热舟状蒸发源使得掺铊碘化铯粉末蒸发，通过旋转蒸镀 在衬底表面镀制掺铊碘化铯薄膜； 步骤B：将反应装置内气压恢复至常压，采用铝材作为蒸发源，在真空环境下，加热蒸发 源使得铝材蒸发，通过旋转蒸镀在掺铊碘化铯薄膜表面镀制铝膜，最终制得抗潮解掺铊碘 化铯薄膜。 4.根据权利要求3所述的一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步 -3 -3 骤A中真空环境的气压在1×10 ～3×10 Pa范围内。 5.根据权利要求3所述的一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步 骤A中加热蒸发源是通过对蒸发源通电流进行加热，具体参数具体如下：蒸镀电流值为100A ～120A，蒸镀时间为90～120分钟；所述步骤A中衬底距离舟状蒸发源的垂直距离为15～30 厘米。 6.根据权利要求4或5所述的一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜的制备方法，其特征在于，所 述步骤A中掺铊碘化铯薄膜的真空热蒸镀沉积速率为1纳米～1.5纳米/秒。 7.根据权利要求3所述的一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步 -3 -3 骤B中真空环境的气压在8×10 至3×10 Pa。 8.根据权利要求3所述的一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜的制备方法，其