电工学下册15半导体器件.pptVIP

R A +3V DA B 0V DB – 12V Y VDA = 0.3 V DA起钳位作用,把Y端的电位钳住在+2.7V; DB起隔离作用,把输入端B和输出端Y隔离开来 二极管的应用举例2： VY = 3–0.3= 2.7 V 曲线越陡，电压越稳定。 + – IZM §15.4 稳压管 稳压管的表示符号 U I 反向 正向 工作区 （4）稳定电流IZ、最大稳定电流IZM 。 稳压二极管的参数: （1）稳定电压UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的系数。 （3）动态电阻 稳压管在正常工作下管子两端的电压。 U I 反向 正向 UZ ?UZ IZ IZM ?IZ （5）最大允许功耗 PZM=UZ IZM 稳压管的应用举例 +20V IZ DZ R=1.6kΩ UZ =12V IZM =18mA 求IZ ,R是否合适? IZ = 20-12 1.6×103 A =5×10-3 A IZ IZM ,电阻值合适。 =5mA N N P B 基极 E 发射极 C 集电极 发射结 集电结 基 区 集电区 发射区 15.5.1 基本结构 NPN型 E B C T 符号表示 §15.5 半导体三极管 P P N B 基极 E 发射极 C 集电极 发射结 集电结 基 区 集电区 发射区 PNP型 B E C T 符号表示 掺入发射区的杂质比集电区的多,但集电区的尺寸比发射区的大,所以两者不能互换。 可互换么？ 15.5.2 电流分配和放大原理 IC mA ?A RB IB EC EB mA + – IE + – 6V 3DG6 B C E 共发射极接法 基极电路 集电极电路 实验数据： 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE /mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC /mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB /mA 结 论: (1) IE = IC + IB (2) IC 和 IE 比 IB大的多 (3) 当 IB = 0 时, IC 0.001mA (4)发射结正偏, 集电结反偏 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE ICE与IBE之比称为电流放大系数β 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 15.5.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 + – + – 一、输入特性曲线 UCE ≥ 1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE =0V UCE =0.5V 当集–射极电压UCE为常数时,输入电路中基极电流IB与基–射极电压UBE之间的关系曲线IB =f(UBE) 。 工作压降： N硅UBE?0.6~0.7V P锗UBE?–0.2~ – 0.3V 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IB一定, UCE继续增高, IC不再明显增加,恒流特性。 当基极电流IB为常数时,输出电路中集电极电流IC与集–射极电压UCE之间的关系曲线IC =f(UCE) 。 IB增大, IC相应也增大,但IC比IB增加的多。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0, IC=ICEO, UBE 死区电压，称为截止区。 此区域满足IC=?IB称为放大区（线性区）。 此区域中UCE?UBE, 集电结正偏，?IBIC，称为饱和区。 输出特性三个区域的特点: (2) 截止区： UBE 死区电压。 即：IB=0 ， IC