第三篇 章 半导体 经典太阳电池基础课件.ppt

电子空穴的浓度取决于温度，但是在室温左右一个很宽的温度范围内，电子的浓度并不依赖于温度，而是等于施主的浓度。 掺杂较弱的情况，在室温下受主与施主几乎都可以被电离。 费米能级的确定 掺杂的浓度通常介于介于1015/cm3和1019/cm3之间，但是这种微小的掺杂不会显著改变半导体的性质。 3.4 准费米分布 在室温下，电子和空穴的分布均遵守费米分布规律。 如果一个电子从半导体中移出，电子的总能量减少，所以半导体中的能量也会减少。看一下吉布斯函数 当电子或者空穴移出后，一个半导体到底传输了多少能量？ 作为太阳能电池而言，这个能量不仅是形成了电能 ,因为对于电池来说，电子流入的数量和流出的数量是相同的。 而这部分能量就是电子-空穴对迁移时，传输的和熵无关的能量，即自由能。 伴随着电子和空穴的移动，自由能的改变为 由dN个电子和空穴作为载流子传输的自由能为 非平衡载流子越多，准费米能级偏离 就越远。 在非平衡态时，一般情况下，少数载流子的准费米能级偏离费米能级较大 电子的发射密度与温度之间的关系为 3.5 电子和空穴的产生 电子和空穴的产生需要可以提供一对电子-空穴对的最小的激发能量 。这需要把电子从价带进入导带，这样就产生了电子-空穴对。 对于太阳能电池来说，通过吸收光子是非常重要的过程。 吸收光子的概率有材料的吸收系数所决定。而吸收系数与价带中占领状态的密度以及导带中未占领的状态密度相关。 对于直接跃迁来说，动量不发生变化。 利用能量守恒定律，可以得到 利用动量守恒，可以简化为 直接跃迁中，光子的复合密度为 而光子的吸收概率与光子流的微分及吸收系数成正比 得到 间接跃迁 在间接半导体中，只有光子的参与，电子不可能从价带顶跃迁到导带底。这就需要有其他粒子的参与，比如说声子。 在间接跃迁的条件下，光子和声子同时被吸收 对于从价带顶输运到导带，电子的最大动能为 而吸收系数为 对于间接半导体来说，因为其吸收系数很小，所以为了能吸收所有的光子，半导体的厚度需要较大，大于100微米。这与直接半导体有着明显的区别，直接半导体有大的吸收系数，小的深入深度，所以厚度小于几个微米！ 电子-空穴对的发生 粒子的连续性方程 对于光子来说，在稳定状态下，因为内部没有光子的产生，所以上式变成 得到 考虑到在半导体 表面的反射和透射 被吸收的光子流为 以半导体中吸收一个光子，产生一个电子-空穴对为例，来讨论电子空穴对的产生率 上式中的c指的是介质中的速率，所以表明电子空穴的产生效率和吸收系数以及折射率的二次方成正比。 并不是所有的光子都能在半导体中吸收！ 3.6 电子与空穴的复合 电子-空穴对能够在半导体中产生，也可以复合在半导体中消失。 辐射复合是电子空穴对产生的反过程（即一个电子从导带到价带中未被占领的状态跃迁，同时释放能量。） 热平衡状态 在一定温度下，载流子的产生和载流子的复合建立起一动态平衡，这时的载流子称为热平衡载流子。 半导体的热平衡状态受温度影响，某一特定温度对应某一特定的热平衡状态。 半导体的导电性受温度影响剧烈。 而辐射复合中电子-空穴对的消失随着电子和空穴的浓度的增加而增加，即 在热平衡和化学平衡下 类似于光子中的状态密度，电子在导带区域的状态密度为 激发一个电子从价带到导带需要的最小能量为 这称为直接跃迁，电子的动量没有改变，仍然是0，具有这种性质的半导体称为直接半导体，例如GaAs 对于间接半导体来说，发生在导带底的最低能量处的动量不是0，而邻近区域的动能是 此时，从价带的顶部跃迁到导带的底部会对动量有所改变，这称之为间接跃迁。例如硅 综合导带中所有的能量给出自由电子在导带中的电子密度为 考虑到费米分布函数的性质， 类似电子相似的近似，空穴的密度为 对于本征半导体来说，半导体内的电子均产生于价带，电子的密度和空穴的密度相同，称之为本征密度。 利用电子的状态密度可以得到电子的电子的平均能量为 3.2 空穴 对于空穴来说，动量和电子的动量大小相等，方向相反。对于价带来说（完全填满），总的动量为0，无电流通过。 假设，从填满的价带移走电子，电子的速度为ve,这样在该能带中就会形成电流。 这里能带中的电流的形成：由占领状态中所有速率为Ve的电子累积而形成。 在完全占领的能带中，消失的电子的电荷的数目与引入其中的空穴数目一致。所以 空穴的平均能量为 讨论半导体吸收一个光子，一个电子从价带跃迁到导带的情况。 跃迁过程中半导体可以吸收光子的能量和动量。 跃迁的结果是在导带中产生了一个动量为pe能量为 的电子，在价带中产生了一个动量为ph能量为 的空穴。 而且上述过程