第3章 费米分布与玻耳兹曼分布-zhaowr-2009.ppt

* 物理与光电工程学院 复习 例1. 对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFnEFi 证明：设nn为n型半导体的电子浓度，ni为本征半导体的电子浓度。显然 nn ni 得证。 * 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 例2、试分别定性定量说明： （1） 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度越高； （2） 对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载流子浓度越高。 解： （1）在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃迁所需的能量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。 * 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 由公式 也可知道，温度不变而减少本征材料的禁带宽度，上式中的指数项将因此而增加，从而使得载流子浓度因此而增加。 (2) 对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，受激发的载流子将因此而增加。由公式 可知，这时两式中的指数项将因此而增加，从而导致载流子浓度增加。 * 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 解：由 得 本征半导体常用参数：P61 例3. 若两块Si样品中在300K时的电子浓度分别为2.25×1010cm-3和6.8×1016cm-3，试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级相对于价带顶的位置，并判断样品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，这两块样品的导电类型又将怎样？ * 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 可见 又因为 则 Nv * 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，那么将出现杂质补偿，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 因此，第一种半导体中的空穴的浓度为1. 1×1010cm-3,费米能级在价带上方0.234eV处；第一种半导体中的空穴的浓度为3.3×103cm-3,费米能级在价带上方0.331eV处。掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质后，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 * 物理与光电工程学院 谢谢 Thanks Next：第4章 半导体的导电性 Chapter 4 Electrical Conductivity of Semiconductor * 物理与光电工程学院 (b) 低温下, 设 NDNA（或者NA=0），且满足NDNC’NA (即相当于只有施主杂质的情况) 此时(3.5-7)式可化为： 3.5 一般情况下的载流子浓度 (3.5-11) * 物理与光电工程学院 解得此时的费米能级为： (3.5-12) 当ND2NC时，EF在ED和EC之间的中线以下； 当ND2NC时，则EF位于ED和EC之间的中线以上，甚至可以进入导带低EC以上，即简并化。 3.5 一般情况下的载流子浓度 (2)中间电离区 温度继续升高,施主电离程度继续增大,当n0NA时,受主的作用可忽略不计. * 物理与光电工程学院  电中性条件： n0=ND-NA 即有效杂质完全电离为导带提供电子。 (3)强电离区 当温度升高到一定值后，有效施主杂质全部已经电离，此时半导体处于强电离或饱和电离温度区。但本征激发仍可忽略。 + + + + + + + - - - - - EF EV EA ED EC 饱和电离区 - - 3.5 一般情况下的载流子浓度 (3.5-13) * 物理与光电工程学院 代入，可得费米能级表示式为： (3.5-14) 将n0的表示式 显然，当NDNA (或者NA=0）时，即当n0 ? ND时， 费米能级为： (3.5-15) 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 物理与光电工程学院 （4）过渡区 此时，电中性条件变为： 半导体所处温度超过杂质饱和电离的温度区之后，本征激发不可忽略，随温度升高，因本征激发产生的载流子浓度迅速增加，ND-NAni的条件已不成立。如果ND-NA与ni的数值相比拟，称这种情况为处于过渡温度区。 (3.5-16) + + + + + + + - - - - - EF EV EA ED EC 过渡温度区 + + - - - - + - 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 物理与光电工程学院 结合方程 解得电子和空穴浓度： (3.5-17) (3.5-18) 将 分别代入上两式均可解得过渡温度区半导体的费米能级为： 和 (3.5-19) 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 物理与光电工程学院 3.5 一般情况下的载流子浓度 注: 在NDNA（或者NA=0）的特殊情况下，只要在以上三式中忽略NA，