清洁表面的制备和分子束外延技术-ICQMPKU.PPTVIP

* * * Mismatched heteroepitaxial systems for quantum dots: III-V compounds arsenides (InGaAs/AlGaAs ,InAs/InGaAs, InAlGaAs /AlGaAs ) phosphides (InAs/InP, InP/InGaP ), antimonides and nitrides (GaN/AlN), IV-IV compounds Ge/Si and SiGe/Si II-VI compounds CdSe/ZnSe and Mixed-group compounds InAs/Si. 3. 量子点 （Quantum Dots） * AFM image of InAs/GaAs Quantumdots. * * * E = Eg + Ee + Eh E - emission energy Eg - quantumdot bandgap energy Ee - electron confinement energy Eh - hole confinement energy Nt: Exciton binding energy is neglected. * 4. 巨磁阻超薄膜 * * Magnetoresistance * * Giant MagnetoResistance 产生巨磁电阻最简单的体系：由两层磁性金属夹一层非磁金属组成的体系。在磁性材料内部，特别是磁与非磁材料之间的界面处，不同自旋的电子有不同的散射几率. 如果电子的自旋反平行于一般的磁化方向，其散射就较强。这些电子的电阻将比平行自旋的电子的电阻来得大。其次，当电子进入非磁材料时，它们全部有相同的散射，与它们的自旋方向无关. 在第二界面处和在最后一层磁性材料中，反平行自旋的电子再次有比平行自旋电子更大的散射. * 从相互作用性质看多层膜GMR 磁性金属－非磁－磁性金属多层结构中，非磁金属层为纳米标度，该层太厚得不到GMR。 原因：相邻磁层必须有耦合或自旋相互作用－（核自旋）与（d电子自旋）之间的相互作用。这种相互作用是通过非磁金属中的自由电子间接实现耦合的（即RKKY机制）。 RKKY耦合会引起相邻磁层的自发反铁磁磁化。 * spin valve effect: GMR read heads allows the reading of extremely small magnetic bits at an areal density of 2.69 gigabits per square inch. * IBM工程师斯图尔特帕金(Stuart Parkin)在IBM Almaden研究中心Racetrack实验室。 * 小结 清洁表面的获得 1.1 超高真空的意义 1.2 清洁表面的获得手段 2. 分子束外延简介 3. 外延生长 3.1 外延生长的定义 3.2 外延生长的动力学过程 4. 反射式高能电子衍射 5. 分子束外延应用实例 * 下一次课： 12月12日：停课一次 * * 室温大气下的表面，和理想的清洁表面无论是在结构，成分和性质上都想去甚远。一个清洁的表面暴露在大气中，很容易吸附空气中的水分和气体等，发生氧化反应。清洁的硅表面和多数的金属在大气中会被迅速氧化。只有少数表面能在空气中保持稳定和清洁，例如金的表面和石墨的表面。但最近人们的研究表明，即使是石墨这样稳定的表面，在大气中也会吸附很多水和其它气体分子，并不是我们想象的那么清洁。 * 1992-1995美国工业界有一个课题：把MBE送到外空去生长半导体薄膜，将来在外空建一个工厂，用航天飞机每周传送样品。（理由是外空的真空腔体无限大，样品可以长的无限大）。 * 我们进行物理研究，需要有清楚定义的对象，最简单的办法是在超高真空中通过各种办法获得清洁表面，然后在超高真空中原位研究它们。 * 磁控溅射是为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。 * (a) 完全匹配；(b)幻数匹配；(c)旋转匹配。 * * Within a bulk semiconductor crystal, electrons may occupy states in one of two continuous energy bands - the valence band, whic