华北电力大学高电压技术16章课件考研复试及期末考试必备.ppt

各种预防性试验方法的特点总结 序号 试验方法 能发现的缺陷 1 测量绝缘电阻及泄漏电流 贯穿性的受潮、脏污和导电通道 2 测量吸收比 大面积受潮、贯穿性的集中缺陷 3 测量tgδ 绝缘普遍受潮和劣化 4 测量局部放电 有气体放电的局部缺陷 5 油的气相色谱分析 持续性的局部过热和局部放电 6 交流或直流耐压试验 使抗电强度下降到一定程度的主绝缘局部缺陷 7 操作波或倍频感应耐压试验(限于变压器) 使抗电强度下降到一定程度的主绝缘或纵绝缘的局部缺陷 表中序号6和7两项为破坏性试验，其它各项均属于非破坏性试验 * §5.2 测定泄漏电流 泄漏电流的测量原理和绝缘电阻的测量原理一致，本试验是将直流高压加到被试品上，测量流经被试绝缘的泄漏电流，实际上也就是测量绝缘电阻。 泄漏电流测量的特点: 1．加在试品上的直流高压比兆欧表的工作电压高得多,能发现兆欧表所不能发现的某些缺陷。 2．由于施加在试品上的直流高压是逐渐增大的,所以可以在升压过程从所测电流与电压关系的线性度，即可指示绝缘情况。 3．兆欧表刻度的非线性度很强，尤其在接近高量程段，刻度甚密，难以精确分辨。微安表的刻度则基本上是线性的，能精确读取。 T V R V C PV2 PV1 μA a TO μA b 图4-3 泄漏电流试验接线图 ~ §5.2 测定泄漏电流（续） 泄漏电流试验整体接线图 1-绝缘良好 2-绝缘受潮 3-绝缘中有集中性缺陷 4-绝缘中有危险的集中性缺陷 Ut-发电机的测试电压 §5.2 测定泄漏电流（续） 发电机的典型泄漏电流曲线 1.微安表接在被试品低压侧和大地之间： 被试品的低压极不直接接地时,采用图 5-2-1所示电路.为减小测量误差,应将测量系统和被试品低压极用屏蔽系统S全部屏蔽起来并接地。 保护电阻R 并联电容C §5.2 测定泄漏电流（续） 2.微安表接在高压侧： 被试品的一极已固定接地,不能分开.采用图5-2-2所示电路. 此时处在高电位的屏蔽系统，使其附近空间气体电离造成的对地漏导电流，并不流经测量系统，也就不会产生测量误差了。 观察时应特别注意安全。 §5.2 测定泄漏电流（续） §5.3 测定介质损耗因数（tgδ） 介质损耗因数（tgδ）是表征绝缘在交变电压作用下比损耗大小的特征参数，它与绝缘体的形状和尺寸无关，它是绝缘性能的基本指标之一。 测量tgδ常用高压交流平衡电桥(西林电桥)，不平衡电桥(介质试验器),低功率因数瓦特表来测量，这里主要介绍西林电桥。 一、测试电路 图5-3-2 西林电桥基本原理电路图 §5.3 测定介质损耗因数tgδ（续） Cx、Rx：被试品的等值电容和电阻； R3 ：可调无感电阻； CN ：高压标准电容器的电容； C4 ：可调电容； R4 ：定值无感电阻（一般取R4=10000/π欧姆）； P ：交流检流计。 调节R3和C4，使电桥达到平衡，即通过检流计P的电流为零，此时有UFA/UAD=UFB/UBD。 由于通过桥臂FA和AD,FB和BD的电流分别均为I1和I2，所以各桥臂电压之比即相应的桥臂阻抗之比。 即 Z1/Z3=Z2/Z4 或 Z1Z4=Z2Z3 §5.3 测定介质损耗因数tgδ（续） 可以求得试品电容和等值电阻 介质并联等值电路的介质损耗角正切 因为ω=2πf=100π，若取R4=10000/π(Ω) 则tgδ=C4（C4以 来计） 由于tgδ1，所以 §5.3 测定介质损耗因数tgδ（续） 二、接线方式 1. 正接线： D点接地，被试品Cx的两端对地绝缘。 2. 反接线： D点接高电位，F点接地。（实际中，绝大多数电气设备的金属外壳是直接接在接地底座上的，即被试品的一极是固定接地的。） 注意：在反接线的情况下, 此时R3,C4,检流计P和屏蔽网均处于高电位，故必须保证足够的绝缘水平和采取可靠的保护措施。 §5.3 测定介质损耗因数tgδ（续） §5.3 测定介质损耗因数tgδ（续） 西林电桥反接线图 三、tgδ测量准确度的影响因素 （1）本试验高压电源对桥体杂散电容的影响。 （2）外界电场的干扰。 （3）外界磁场干扰。 四、测tgδ能有效地发现绝缘的下列缺陷 （1）受潮； （2）穿透性导电通道； （3）绝缘内含气泡的电离，绝缘分层、脱壳； （4）绝缘老化劣化，绕组上附积油泥； （5）绝缘油脏污、劣化等。 五、测试时应注意的事项 （1）尽可能分布测试； （2） tgδ与温度的关系； （3） tgδ与试验电压的关系；