微纳米结构复合型tio,2光催化剂的制备及其光催化性能分析-preparation and photocatalytic performance analysis of micro-nano structure composite tio, 2 photocatalyst.docxVIP

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  • 2018-08-07 发布于上海
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微纳米结构复合型tio,2光催化剂的制备及其光催化性能分析-preparation and photocatalytic performance analysis of micro-nano structure composite tio, 2 photocatalyst.docx

微纳米结构复合型tio,2光催化剂的制备及其光催化性能分析-preparation and photocatalytic performance analysis of micro-nano structure composite tio, 2 photocatalyst

学位论文原创性声明本人所提交的学位论文《微/纳米结构复合型TiO2光催化剂的制备及其光催化性能研究》,是在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的原创性成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中标明。本声明的法律后果由本人承担。论文作者(签名):指导教师确认(签名):年月日年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解河北师范大学有权保留并向国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权河北师范大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或其它复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在年解密后适用本授权书)论文作者(签名):指导教师(签名):年月日年月日II绪论1研究背景当今世界大多发达的、工业化的国家都面临着巨大的环境污染问题,处理危险的垃圾、控制有毒气体排放、净化被污染的地下水。因此,人们希望开发出低能耗、高效的、反应条件温和、应用范围广泛,并且不造成二次污染的功能材料。自从二十世纪七十年代,Fujishima和Honda等[1-2]在研究TiO2电极上水光致分解实验时,发现了TiO2能够发生水的氧化还原反应,并放出氢气,发现TiO2的光催化现象。由此掀开了TiO2光催化反应研究的历史篇章。随着光催化技术的发展和进步,因其能够降解环境中的有机污染物和无机污染物,成本较低,催化剂可再生和循环利用,不造成二次污染,还可以利用太阳光进行光催化反应。因此,以半导体材料为光催化剂,进行光催化反应降解环境中的污染物,这成为当前研究最活跃的方向之一。目前,在光催化领域所使用的这些半导体光催化剂中,TiO2成为当前使用最多的光催剂[3-4],因为TiO2价廉易得、无毒无害、氧化能力很强、催化活性很高、光腐蚀性小、化学性能较稳定、无二次污染等诸优点,在光催化领域倍受关注。但是,TiO2自身也有一些缺点,TiO2的禁带宽度较宽,约为3.2eV,只能被波长小于或是等于387nm的光所激发,而对可见区光没有吸收,因此TiO2对太阳光利用率很低[5]。另外,TiO2的光生载流子很容易复合,因而寿命比较低,最终使得光催化反应活性较低[6]。这都限制了TiO2光催化剂在实际生活中的应用,如废水、污水处理中应用。因此,我们为了克服TiO2自身的缺点,国内、外研究人员做了很多的研究工作,旨在提高TiO2的光催化效率,例如,可以将TiO2进行一系列的改性、固载等等[7-8]。2半导体光催化剂电导率在(10-10~104)?-1·cm-1之间并且介于绝缘体和导体的物质,称之为半导体。半导体分为:n型、p型和本征半导体[9],光催化反应以n型半导体为催化剂。当前,研究最多的半导体光催化剂多数为:金属的氧化物和硫化物,例如,TiO2、SnO2、ZnO、Fe2O3、WO3、ZnS、CdS等。半导体材料能够作为光催化剂,是与其光电特性有关,半导体与其它金属不同,差别主要在于:其它金属呈现出连续电子谱带,而半导体是具有一个空的能级区域,称之为禁带,禁带位于价带和导带之间,价带是充满电子的最高能级,导1带是没有电子的最低能级。我们常用半导体材料的带隙能、真空能级的相对位置以及标准氢电极电位(NHE),如下图1所示。图1各种半导体导带和价带的位置再次讨论一下半导体催化剂的光催化原理[10-18],在液相体系中,有光照射存在的情况下,纳米半导体材料的表面可以吸收特定波长的辐射光或者是能量,从而引发了光化学反应。一般来说,在光照射的情况下,纳米半导体材料经历的变化可能有两种机理。第一种机理可能是纳米半导体材料吸收辐射后,传输能量或者是电子到被吸附的体相分子上(或者是被吸附的物质上),最先的辐射光激发是仅仅发生在半导体光催化剂上的,把这样的反应过程称为光敏化反应,这是传统的光催化的概念。第二种机理是被吸附的分子吸收辐射光后被激发后,与纳米半导体材料相互作用,最先的辐射光激发是仅仅发生在被吸附的分子上的,这样的反应过程称之为光催化反应[19]。当半导体光催化剂被能量等于或是大于其禁带能隙的光照射时,半导体材料被激发,那么会从价带上激发电子至导带,如图2所示,并且价带上产生空穴,空穴具有很强的氧化性,最终就产生电子(e-)-空穴(h+)对。这些电荷载流子(电子和空穴)很容易复合,释放出它们的能量,或是发生氧化还原反应,从而继续发生热反应,或者是引发光催化反应。这些电子(e-)和空穴(h+)是能够被半导体光催化剂所捕获,使得更加活泼的活性位产生。那么,被吸附的污染物分子能不能发生光催化反应,主要由两个因素决定的,分别是:(1)半导体材料的价带和导带的氧化还原电位和这些污染物分2子的氧化还原电位的相对大小;(2)电子(e-)

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