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IGBT在工业传动系统中应用 　　摘要: IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。IGBT目前被广泛应用于工业传动系统的变频控制。 　　关键词: IGBT(绝缘栅双极性晶体管) 　　中图分类号:TN-9文献标识码:A文章编号:1671-7597(2010)0710168-02 　　 　　交流变频调速控制系统是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代后,电力电子器件经历了SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型功率晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、SIT(静电感应晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)的发展过程,器件的更新促进了电力电子变换技术的不断发展。20世纪70年代开始,脉宽调制变压变频(PWM-VVVF)调速研究引起了人们的高度重视。20世纪80年代,作为变频技术核心的PWM模式优化问题吸引着人们的浓厚兴趣,并得出诸多优化模式,其中以鞍形波PWM模式效果最佳。20世纪80年代后半期开始,美、日、德、英等发达国家的交流变频调速已投入市场并获得了广泛应用。 　　1 功率组件种类 　　1)SCR可控硅,开关变率很低,而且SCR本身没有换流能力,需强迫换流,现已基本淘汰。 　　2)GTO可关断可控硅,开关频率在1k左右也不高,而且换流电流较大,目前主要用在大容量或高压大容量变频器上。 　　3)BJT(GTR)即大功率晶体管,开关频率可达2k左右,目前市场上还可以买到这种变频器,但为数不多。 　　4)IGBT(IPM)绝缘栅双极性晶体管(智能功率模块),开关频率可达15k左右。由于开关频率很高,因此可以大大提高变频器的调制频率(产品的调制频率一般在3k-14.5k)。IEGT是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件,通过采取增强注入的结构实现了低通态电压,使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。 　　5)IGCT集成化门极换流可控硅是专为中压变频器开发的功率半导体开关器件,基于非常成熟的GTO(可关断可控硅)技术开发的IGCT,使变频器的设计从根本上降低了复杂程度,提高了效率和可靠性。IGCT集IGBT(IPM)绝缘栅双极性晶体管(智能功率模块)的高速开关特性和GTO(门极关断晶闸管)的高阻断电压和低导通损耗特性于一体。 　　2 IGBT的工作特性 　　IGBT绝缘栅双极晶体管,是80年代中期发展起来的一种新型复合器件。IGBT综合了MOSFET和GTR的优点,因而具有良好的特性。目前IGBT的电流/电压等级已达1800A/1200V,关断时间已经缩短到40ns,工作频率可达40kHz,擎住现象得到改善,安全工作区(SOA)扩大。这些优越的性能使得IGBT称为大功率开关电源、逆变器等电力电子装置的理想功率器件。IGBT的驱动方式与可控硅有着明显的不同,导致控制电路有着很大的差异。可控硅采用强上升沿的窄脉冲信号驱动,而IGBT采用方波驱动。 　　IGBT是一种电压型控制器件,它所需要的驱动电流与驱动功率非常小,可直接与模拟或数字功能块相接而不需加任何附加接口电路。IGBT的导通与关断是由栅极电压UGE来控制的,当UGE大于开启电压UGE(th)时IGBT导通,当栅极和发射极间施加反向或不加信号时,IGBT被关断。 　　IGBT与普通晶体三极管一样,可工作在线性放大区、饱和区和截止区,其主要作为开关器件应用。在驱动电路中主要研究IGBT的饱和导通和截止两个状态,使其开通上升沿和关断下降沿都比较陡峭。 　　IGBT和其它电力电子器件一样,其应用还依赖于电路条件和开关环境。因此IGBT的驱动和保护电路是电路设计的难点和重点,是整个装置运行的关键环节。 　　3 IGBT驱动电路要求 　　1)栅极正向驱动电压的大小将对电路性能产生重要影响,必须正确选择。当正向驱动电压增大时,IGBT的导通电阻下降使开通损耗减小;但若正向驱动电压过大则负载短路时,短路电流IC随UGE增大而增大,可能使IGBT出现擎住效应导致门控失效,从而造成IGBT的损坏;若正向驱动电压过小会使IGBT退出饱和导通区而进入线性放大区域,使IGBT过热损坏;使用中选12V≤UGE≤18V为好。栅极负偏置电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通,一般负偏置电压选-5V为宜。另外IGBT开通后驱动电路应提供足够的电压和电流幅值,使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和导通区而损坏。