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IGBT应用中典型故障分析判断及注意事项探讨 　　摘 要:本文对IGBT在应用中的典型故障进行了分类分析探讨,介绍了两种实用的IGBT故障判断方法,给出了IGBT在使用中的主要注意事项及相关问题的解决措施。 　　关键词:IGBT 典型故障分析 判断方法 注意事项 　　中图分类号:TQ150 文献标识码:A 文章编号:1672-3791(2011)08(c)-0096-02 　　 　　绝缘栅双极型晶体管IGBT,也称绝缘门极晶体管。它是20世纪80年代中期出现的一种新型复合器件,它集成了MOS(绝缘栅型场效应管)和GTR(大功率晶体管)众多优点,不仅具有高输入阻抗、开关速度快、饱和压降低、耐压高、承受电流大等优点,而且工作频率范围宽(可达几十kHz),经过三十多年快速发展,如今IGBT在开关电源、变频器、逆变器、UPS、交流伺服系统、感应加热装置、家用电器等领域得到了广泛应用。 　　然而,随着IGBT模块的应用普及,其在实际应用中的问题不得不引起重视,由于操作使用不当、保护电路(或装置)选择不合适等原因,都极易导致IGBT模块故障,造成不必要的经济损失。本文,通过对IGBT典型故障、判断方法及注意事项进行探讨,旨在加深使用者对IGBT模块的了解,尽量减少实际应用中IGBT模块的故障率。 　　 　　1 IGBT典型故障分析 　　通过对IGBT在实际应用中的经验总结,主要有过压、过流、过热三大原因导致IGBT发生故障。 　　1.1 过压 　　(1)高dv/dt和集-射过压。 　　很多使用者都曾遇到过电路中的IGBT莫名其妙就损坏了,更换后正常,却查不出故障原因,于是怀疑是IGBT质量问题。其实,这很可能是使用者对于高dv/dt所引起的过压采用的保护不够重视,常常只采用无感电容或者RCD电路来吸收,当IGBT关断瞬间过高的dv/dt引起过压所占的比例较大时,保护电路吸收不够而导致IGBT的损坏。简而有效的保护方法就是采用电压箝位式吸收电路,对瞬间过电压进行抑制,具体电路就是在集-射极两端并接齐纳二极管,采用栅极电压动态控制,当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的箝位电压时,超出的电压将叠加在栅极上(米勒效应起作用),就可避免IGBT因受集-射过压而损坏。 　　此外,在栅-射极间开路时,若在集-射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。如果此时集-射极间存在高电压,则有可能使IGBT模块发热及至损坏。 　　(2)高dv/dt和集-栅过压。 　　栅极电压动态控制虽可解决因过高dv/dt引起的集-射极瞬间过压问题,但同时它也存在如下弊端,当IGBT工作在感性负载电路中时,半桥结构中处于关断的IGBT,由于其FRD(快速恢复二极管)的恢复,使得其集―射极两端的电压急剧上升,承受瞬间很高的dv/dt,多数情况下该dv/dt值要比IGBT正常关断时的集―射极电压上升率高,由于米勒电容的存在,该dv/dt值将在集-栅极之间产生一个瞬间电流,流向栅极驱动电路,直接导致栅-射极电压Vgeth值的升高,当超过IGBT的开通门限电压Vgeth值,就可能导致IGBT被误触发导通,发生故障损坏,对于此问题,可采用快速吸收电路吸收过电压来解决。 　　1.2 过流 　　(1)长时间过流运行。 　　长时间过流运行是指IGBT的运行指标达到或超出RBSOA(反偏安全工作区)所限定的电流安全边界(如选型失误,安全系数偏小等),出现这种情况时电路必须能在电流到达RBSOA限定边界前立即关断IGBT,才能起到保护IGBT的作用。 　　(2)短路超时(10μs)。 　　短路超时是指IGBT的所承受的电流值达到或超出SCSOA (短路安全工作区)所限定的最大边界,比如4～5倍额定电流时,必须在10μs之内关断IGBT,如果此时IGBT所承受的最大电压也超过器件标称值的话,则IGBT必须在更短时间内被关断。 　　(3)过高di/dt。 　　过高di/dt引起的IGBT故障,其实也可属于过压范围,很高的di/dt值与线路分布电感的乘积,导致瞬间过压。这种情况可以根据不同功率的IGBT模块,来选用不同的snubber(缓冲)吸收电路来解决。 　　1.3 过热 　　过热一般是指使用中IGBT模块的结温Tj(目前主流的IGBT模块结温额定值Tjmax=150℃)超过晶片的最大温度限定。引起过热的原因有很多情况,栅极电压不足、栅极驱动信号误动作、空载时间不足、超负荷或输出短路过电流、开关频率异常增加、缓冲放电电流过大、栅极电阻值增大、散热不足以及接触面热阻增大、散热设计不完善等缘故,都容易导致IGBT模块过热而失效。为安全起见,一般将IGBT模块工作时的结温控制在125℃以下为宜,必要时可安