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一种pin结构光电器件的研究 　　摘要： pin器件在整流和探测领域都有着重要的潜在应用价值。为了提高器件伏安和光电探测性能，提出了一种新型的p-硅/i-氧化铝/n-掺铝氧化锌（AZO）结构器件，并利用原子层沉积技术（ALD）在低温下实现了器件制备。分析了器件的伏安特性，结果显示相比传统的pn结构器件，新结构在无光条件下实现了152的整流比。通过增加i层的沉积厚度，可以有效抑制遂穿效应，减小暗电流，提高光电检测的灵敏度，实现了比传统材料更高的光生电流灵敏度。 　　关键词： pin结构； 原子层沉积（ALD）； 整流比； 遂穿效应； 　　中图分类号： TN 2； TN 3 文献标志码： A doi： 10.3969/j.issn.1005-5630.2016.05.007 　　文章编号： 1005-5630（2016）05-0412-04 　　引 言 　　随着微电子学的发展，半导体光电器件如太阳能电池、LED、光探测器在军事、安检、民生等方面的应用越来越受到重视。这些器件有多种不同的结构，而p-i-n结对于半导体整流和光电探测来说是一种十分有效的结构，因其具有抑制暗电流的优势[1]。作为窗口层，宽禁带的透明薄膜十分重要[2]。 　　作为一种透明氧化物的材料，氧化锌是一种热稳定、化学稳定的n型材料并且具有六角形晶格的晶态。在室温环境下，它具有3.37 eV的带宽和60 meV的激发能。它的电导率范围也比较大，可以达到10-4 ～1010 Ω-1cm-1 [3]。因此，氧化锌是适合用于制作短波光电器件的材料，如在紫外波段范围下的场发射管、太阳能电池、紫外探测器、气体传感器等[4]。氧化锌还可以通过掺杂Sn、Al、Sb和In[5-8]来提高其光电特性，使得氧化锌有更好的光透射性能。 　　为了抑制在异质结高势垒情况下的多数载流子的隧穿效应，需要插入一个中间层。许多介质材料都可以作为中间层如TiO2、MgO、SiOx和 LaAlO3，这些报道都可以在文献[9-11]中找到。作为一个常见的、无毒的材料，氧化铝完全可以作为中间层的介质材料来提升器件特性，它具有高达9的介电常数和8 eV的带宽。 　　在p-i-n结构中，我们用硅作为p型材料，氧化铝作为中间层，掺铝氧化锌（AZO）作为n型材料。其中，中间层氧化铝和n型层AZO一般都可以用许多方法来沉积，如磁控溅射、脉冲激光沉淀、化学气相沉积、喷射高温分解法和溶胶凝胶法。在这次实验中，我们使用原子层沉积法来制作这结构，因为它具有较大的面积和容量来沉积，操作和控制简单，沉积薄膜具有较好的保型性，其沉积的厚度具有高的精准性，并且还能在低温中生长。我们还通过沉积不同厚度的氧化铝来观测其对器件的各方面特性影响。 　　1 实验制备 　　实验中，选用电阻率为1～10 Ω?cm的p型硅作为p型材料。在沉积之前，先通过超声法来清洗硅片。将硅片浸泡在丙酮溶液中并在超声仪中超声3 min来去除其表面上的附着有机物。之后把硅片浸泡在乙醇溶液中同样在超声中超声3 min来去除其表面上的丙酮残留物。最后用去离子水冲洗，并且用氮气枪吹干。使用BENEQ公司的ALD系统来沉积薄膜，在沉积氧化铝中，使用三甲基铝作为金属前驱源，水作为反应物。在生长过程中，三甲基铝和水分别通入腔室中，每通好一次金属源或水之后都会有一个氮气脉冲来去除残余物和副产物。一圈的氧化铝生长过程是0.2 s三甲基铝脉冲/2 s氮气脉冲/0.2 s水脉冲/2 s氮气脉冲，沉积温度为200 ℃，沉积速率为0.1 nm/圈。同样的，沉积掺铝氧化锌使用二乙基锌，三甲基铝作为金属前驱源，水作为反应物。一圈氧化锌的沉积过程是0.2 s二乙基锌脉冲/2 s氮气脉冲/0.2 s水脉冲/2 s氮气脉冲，一圈的氧化铝生长过程是0.2 s三甲基铝脉冲/2 s氮气脉冲/0.2 s水脉冲/2 s氮气脉冲。AZO的沉积温度为100 ℃，沉积速率为0.15 nm/圈。在此低温生长是因为如果温度太高，AZO的电阻率会比较小而不能成为半导体。在实验中，中间层的氧化铝分别沉积0，20，40，60，80，100圈来测试其对器件的性能影响。AZO的掺杂比为10圈ZnO∶1圈Al2O3作为一个大循环圈，这是为了得到电阻更加合适的AZO。因为如果掺杂比为15∶1时，AZO的电阻同样也会过小而不能成为半导体。所以这里一共生长50大圈的AZO，每一个大圈的AZO为10圈ZnO和1圈Al2O3。在制备完毕后，通过PVD方法镀上150 nm厚的Ti/Au电极。图1显示了器件的剖面图。 　　2 实验测试 　　测试时用椭偏仪来测试薄膜的厚度，用Agilent B1500A型半导体器件分析仪测试其伏安电学特性以及紫外光电探测特性。 　　表1是通过椭偏仪所测的氧化铝薄膜和AZO薄膜的厚度[