SOI器件总剂量辐射效应及其背栅加固技术研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 湘潭大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所 取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任 何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡 献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的 法律后果由本人承担。 作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意 学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文 被查阅和借阅。本人授权湘潭大学可以将本学位论文的全部或部分内容编 入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇 编本学位论文。 涉密论文按学校规定处理。 作者签名： 日期： 年 月 日 导师签名： 日期： 年 月 日 万方数据 万方数据 摘 要 在先进 CMOS ICs 工 艺 中 ， 与 传 统 体 硅 技 术 相 比 ， 绝 缘 体 上 的 硅 (Silicon-on-Insulator, SOI)技术具有得天独厚的优势，诸如高速、低功耗、高集成 度等优点。这是由于 SOI 器件实现了全介质隔离，减小了结电容，并彻底消除 了体硅 CMOS 技术中的闩锁效应。此外，隐埋氧化层(Buried Oxide, BOX)的存在 有效地减小了单粒子效应中的电荷收集体积，从而很大程度上提高了器件抗单粒 子翻转和抗单粒子闩锁能力。然而，辐射在埋氧层和浅沟槽隔离氧化物(Shallow Trench Isolation, STI)中诱生的陷阱电荷使得 SOI 器件的总剂量辐射效应更为复 杂。因此，对 SOI 器件的总剂量辐射效应进行系统的研究，从而找到一种对 SOI 器件进行辐射加固的方法显得尤为必要。 本论文主要研究了 0.2 μm 部分耗尽(Partially-Depleted, PD)SOI 器件的总剂 量辐射效应。然后探讨了采用硅离子注入技术在 SOI 晶圆层级对埋氧层进行加 固改性的方法，并应用 Pseudo-MOS 方法表征 SOI 材料辐射前后的电学性能，以 此评估背栅加固效果。论文具体内容和主要结论如下： (1) 研究了 0.2 μm PD SOI 器件在 ON、OFF 和 TG 三种辐照偏置条件下的 总剂量辐射响应。结果表明，无论对于器件的前栅还是背栅，ON 偏置均为最劣 偏置。此外，还系统的研究了短沟道 SOI 器件和窄沟道 SOI 器件随总的辐照剂 量增加其 Id-Vg 曲线变化情况。实验结果显示，短沟道器件和窄沟道器件随着总 的辐照剂量的增加，器件性能退化严重，主要表现为关态漏电流大幅度增加。我 们对实验结果进行了分析，认为辐射诱生的陷阱正电荷在 STI 侧壁累积是造成器 件性能退化的主要原因。 (2) 介绍了 Pseudo-MOS 样品的制备工艺以及 Pseudo-MOS 测试原理。同时 也对影响 Pseudo-MOS 测试的各方面参数进行了详细地探讨。 (3) 研究了三种埋氧层加固工艺：硅离子直接注入工艺、多次注入多次退火 工艺及键合注入工艺。结果表明，采用硅离子注入加固工艺能够有效地增强 SOI 材料的抗总剂量辐射能力。这是因为加固工艺能够在埋氧层中形成具有很大俘获 截面积的深电子陷阱的硅纳米晶簇，这些深电子陷阱能够俘获辐射过程中产生的 电子，降低辐射在埋氧层中积累的空穴的数量，从而增强 SOI 材料的抗总剂量 辐射能力。对多次注入多次退火工艺的分析表明，这种改进的离子注入工艺能够 很大程度上保持顶层硅膜的晶格完整性，弥补单次注入工艺的不足。同时，与键 合注入工艺相比，多次注入多次退火工艺也节约了时间和经济成本。 关键词：绝缘体上硅；总剂量效应；Pseudo-MOS；离子注入 I Abstract In the advanced CMOS ICs process, Silicon-on-Insulator (SOI) technology has extraordinary advantage compared with traditional bulk-silicon technology, such as high speed, low power and high integration density. The latch-up of bulk-silicon device can be eliminated drastically due to the complete dielectric isolation of SOI transistor. In addition, the presence of buried oxide (BOX) can restrict the