不同激发频率下容性耦合等离子体的实验诊断及晶硅表面制绒研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

不同激发频率下容性耦合等离子体的实验诊断及晶硅表面制绒研究中文摘要 不同激发频率下容性耦合等离子体的实验诊断及晶硅表面制绒研究 中文摘要 I I 不同激发频率下容性耦合等离子体的实验诊断及晶硅表 面制绒研究 中文摘要 光伏产业的发展伴随着太阳能电池片效率的进一步提升。多晶硅片在做成电池片 之前往往要经过表面制绒的步骤，以降低太阳光线在表面的反射，提高电子与空穴的 产生。但传统的湿法制绒工艺因水资源的消耗和对环境造成污染等原因在应用方面受 到环评限制，因此，一种基于强电负性的氟基等离子体干法制绒工艺进入了人们的视 野。目前，氟基等离子体特性以及对晶硅表面制绒工艺过程仍需要人们做进一步的加 深理解。本文重点对不同实验条件下由三种激发频率激发产生的容性耦合等离子体特 性的及其对单晶硅表面制绒的影响进行了详细的研究。 在射频容性耦合等离子体中，极板表面所产生的负偏压将会对晶硅表面提供足够 的离子轰击能量，显然，了解晶硅表面制绒过程中电极板表面的负偏压随放电条件的 演变是必要的。为此，我们测量了不同激发频率下容性耦合等离子体中功率电极表面 负偏压随实验条件的变化情况。测量结果表明：对于三种不同驱动频率产生的容性耦 合等离子体，驱动频率越高，极板负偏压越低。在同一驱动频率条件下，随着输入功 率的升高，极板偏压呈现出线性增加的趋势；而放电气压的升高导致了极板负偏压的 降低；SF6/O2 不同的气体流量比对极板的偏压也有明显的影响，且射频源驱动频率较 高时，极板负偏压受到的影响较明显。在 SF6/O2 的混合气体中，随着 O2 相对含量的 升高，极板的负偏压在明显的升高。 在电负性容性耦合等离子体中，负离子的存在增加了朗缪尔探针测量的难度。为 此，我们在本次实验中利用自行建立的悬浮型微波共振探针对容性耦合等离子体的电 子密度进行了测量。测量结果表明：随着输入功率的升高，等离子体电子密度近似呈 现出几何线性增加的趋势；而随着放电气压的升高，电子密度则显现出明显的下降的 趋势。另外，我们还采用了等离子体发射光谱技术对单频容性耦合等离子体中的 F 基团和 O 基团的光谱强度进行了测量，结果表明：对于三种不同驱动频率产生的等 离子体，40.68 MHz 射频源产生的等离子体对应的 F 和 O 的谱线强度最强，F/O 谱线 中文摘要不同激发频率下容性耦合等离子体的实验诊断及晶硅表面制绒研究 中文摘要 不同激发频率下容性耦合等离子体的实验诊断及晶硅表面制绒研究 II II 的相对强度 IF/IO 的比值最大，27.12 MHz 产生等离子体中 F/O 谱线强度以及对应相对 谱线强度 IF/IO 次之，而 13.56 MHz 产生等离子体中 F/O 谱线强度最弱以及对应相对 谱线强度 IF/IO 比值最小。 在晶硅表面干法制绒方面，我们利用不同驱动频率的射频源对单晶硅表面进行了 制绒研究，主要研究了不同实验参量（放电气压、输入功率、时间与气体流量比）对 单晶硅表面制绒的影响。实验结果表明：三种驱动频率射频源产生的等离子体都可以 进行单晶硅表面的干法制绒。但是利用 27.12 MHz 射频源得到的 300 nm 左右的绒面 结构对应表面反射率最低，其平均反射率在 4%左右；40.68MHz 射频源得到的绒面 结构在 120 nm 左右，其对应的反射率较高，在 6%以上。而 13.56 MHz 的射频源得 到的绒面结构在 80 nm 以下，对应的反射率则远远地超过了 10%。通过比较等离子体 电学参量的测量结果与对应刻蚀产生绒面结果的 SEM 图，解释了等离子体电学参量 对晶硅表面绒面形成的影响。 关键词：容性耦合等离子体；晶硅制绒；反射率 作 者：徐东升 指导教师：辛 煜 不同激发频率下容性耦合等离子体的实验诊断及晶硅表面制绒研究英文摘要 不同激发频率下容性耦合等离子体的实验诊断及晶硅表面制绒研究 英文摘要 PAGE PAGE IV Experimental diagnosis of capacitively coupled plasma driven by different radio frequency and texturing of mulit-crystalline silicon surface Abstract Along with the photovoltaic industry to further improve the efficiency of solar cell needs, and the improvement of environmental protection consciousness. The electronegative fluoro-based plasma texturing technique