电泳沉积碳纳米管薄膜及其场发射性能的研究-材料加工工程专业论文.docxVIP

I I 电泳沉积碳纳米管薄膜及其场发射性能的研究 摘 要 阴极射线管显示器(CRT)是最早发明也是发展最快的一种显示成像技术，它的优 点是色彩度高、视角广、无坏点，但它也同时具有功耗高、体积大、笨重等缺点，限 制了它的发展。最新的显示成像技术是朝着轻重量、小体积的趋势发展的，场发射显 示(FED)作为最新的一种平板显示成像技术，不仅具备 CRT 的种种优点，同时还弥补 了 CRT 所固有的不足之处。 冷阴极材料作为场发射显示器中的关键部位，对于器件的场发射性能起到决定性 的作用，因此选用何种冷阴极材料显得至关重要。回顾冷阴极材料的发展史，金属材 料、硅、金刚石薄膜、类金刚石薄膜以及半导体材料等等都作为冷阴极材料而被应用。 而碳纳米管(CNTs)作为一种新型的冷阴极材料，是一种准一维纳米材料，具有极高的 长径比和极小的端部曲率半径以及低逸出功，兼有优异的力学性能、导电性、导热性 和化学稳定性，这些特性使其成为理想的场发射材料，逐渐成为了近年来的研究热点。 但是碳纳米管薄膜与基底的结合力问题，一直是制约其在工业上大规模应用的重要因 素。如何改进工艺，改善碳纳米管薄膜与基底的结合性，提高碳纳米管薄膜的场发射 性能，对于实际工业生产上的应用有重大意义。 通过电泳法沉积碳纳米管薄膜，本文主要研究了以下几个内容： (1) 电泳沉积碳纳米管薄膜及其场发射性能的研究 以单面抛光单晶硅片为基底，通过控制各工艺参数，电泳沉积了碳纳米管薄膜， 进行了光学显微镜和 SEM 形貌研究。并在高真空二极管系统中，阳极为覆有荧光粉 的 ITO 玻璃，阴极为沉积所得碳纳米管薄膜，阴阳极间距为 170μm。研究各工艺参 数对 Si-CNTs 薄膜的场发射性能影响，得出了最佳工艺参数：电压为 90V，沉积时间 为 120s，极板间距为 3cm，温度为 25℃，电泳液采用异丙醇。所制得的样品开启电 场为 0.188 V·μm-1，当外加电场为 2.8 V·μm-1 时，电流密度为 5.4 mA·cm-2。 (2) 预镀基底膜的电泳沉积碳纳米管薄膜研究 为了增强碳纳米管薄膜与基底之间的结合并提高场发射性能，采用直流磁控溅射 II II 在硅基底上分别预镀了一层 Ti 膜和 W 膜，然后预镀膜硅片为基底，电泳沉积了碳纳 米管薄膜，比较了在相同沉积条件下所制得的预镀膜碳纳米管薄膜和未镀膜碳纳米管 薄膜的场发射性能，结果表明基底预镀 Si膜能大幅提升碳纳米管薄膜的场发射性能。 其开启电场降低至 0.132 V·μ m-1，当外加电场强度为 2.4 V·μm-1 时，电流密度能达 到 9.1 mA·cm-2。预镀 W 膜则并未提高碳纳米管的场发射性能。 关键词：电泳沉积，碳纳米管，基底，场发射性能，预镀膜 PAGE PAGE IV RESEARCH OF FIELD EMISSION OF CARBON NANOTUBES FILM BY ELECTROPHORETIC DEPOSITION ABSTRACT Cathode ray tube (CRT) is a kind of display device that was first to be invented. It is widely accepted due to its highest qualities on display color, wide imaging and dark spot. But CRT has some deficiencies such as heavy weight, huge bodies and high power consumption, which confine its development. The new trend of display technology is light weight and small body. As a lastest kind of display, Field emission fiat display (FED) is a very promising panel display technology, which not only possesses excellent display quality as CRT but also can make up for the deficiencies of CRT. As the key point of FED, cold cathode determines the performance of field emission, so choosing appropriate cathode materials is very important. Many col