多孔氮化硼的合成及其对罗丹明B和刚果红的吸附性能研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

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多孔氮化硼的合成及其对罗丹明B和刚果红的吸附性能研究-材料物理与化学专业论文

分类号: TB321 密级: 公开 U D C: 620 编号: 201221801007 河北工业大学硕士学位论文 多孔氮化硼的合成及其对罗丹明 B 和刚果 红的吸附性能研究 论 文 作 者: 肖星 学 生 类 别: 全日制 学 科 门 类: 工学 学 科 专 业: 材料物理与化学 指 导 教 师: 唐成春 职 称: 教授 资助基金项目:国家自然科学基金面上项目(No. Dissertation Submitted to Hebei University of Technology for Master Degree of Materials Physics and Chemistry INVESTIGATION ON THE SYNTHESIS OF POROUS BORON NITRIDE AND ADSORPTION CHARACTERISTICS FOR CONGO RED AND RHODMINE B by Xiao Xing Supervisor: Prof. Tang Chengchun May 2015 This work was supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. \ 摘 要 多孔氮化硼是指具有不同尺度孔隙和高比表面积的 III-V 族非金属化合物。因它 具有优异的光电学性能、吸附特性、渗透特性等,使得其在催化、储氢、分离等领域 具有广阔应用前景。其中,多孔六方氮化硼在吸附领域体现出极大的优越性。 本论文采用高纯的硼酸和三聚氰胺分别作为硼源和氮源,使用高温热分解前驱体 的方法制备多孔氮化硼材料。将热解温度为 1000 oC 和 1550 oC 得到的样品(分别简 写为 1-BN 和 2-BN),利用 SEM、TEM、和 BET 对以上所得样品的形貌和孔特征进 行表征分析,确定其为高比表面积的多孔氮化硼纤维材料。再结合 XRD、FTIR 测试 结果,得出合成的样品为六方氮化硼,且其表面悬挂大量官能团。将以上两种氮化硼 纤维做为吸附剂,比较它们对水中罗丹明 B(RhB)和刚果红(CR)吸附过程中的主 要影响因素,包括溶液浓度、溶液初始 pH 值、吸附时间和实验温度。进而,通过实 验数据计算分析研究吸附模型:吸附等温线和动力学模型。论文结论包括两部分: .影响吸附值的因素:1-BN 和 2-BN 对 RhB 和 CR 的最大吸附量随初始浓度的提 高而增加。pH 值对吸附效果的影响:pH7 时,1-BN 对 RhB 的吸附量随溶液初始 pH 值的增加而减小;pH7 时,其吸附量几乎保持不变。在中性和酸性条件下,1-BN 对 CR 的吸附量几乎保持不变;pH7 时,其吸附量随溶液初始 pH 值的增加而下降;1-BN 对 CR 的最大吸附容量随着实验温度的升高而明显增大,由于 1-BN 对 RhB 溶液的吸 附速率随温度升高而加快。 .吸附模型:将测试数据对吸附等温线模型进行拟合,结果发现 1-BN 和 2-BN 对 染料的吸附更符合 Langmuir 模型(其相关系数 R2 较大)。CR 在 1-BN 和 2-BN 上的 最大吸附量分别为 82.57 mg/g 和 71.50 mg/g ,RhB 在 1-BN 和 2-BN 上的最大吸附量 分别为 216.2 mg/g 和 201.24 mg/g 。据 D-R 模型计算结果推断,两种氮化硼纤维对 CR 和 RhB 的吸附均为化学吸附。通过对准一级、准二级动力学方程的拟合结果发现, 实验中的吸附过程均符合准二级动力学方程。 关键字:吸附材料,多孔氮化硼,吸附等温线 I PAGE PAGE IV PAGE PAGE III ABSTRACT Porous boron nitride material is III-V nonmetallic compound and it has different scales of pores and high surface area. It has excellent optoelectronic properties, adsorption properties, permeability characteristics, so it has broad application prospects in many fields. The hexagonal boron nitride performs the great advantages in the field of adsorption. In this paper, high purit

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