掺杂ZnO的第一性原理研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

I I 摘 要 摘 要 本文通过第一性原理方法，从理论角度研究掺杂 ZnO 的电子结构（包括能带结构、 电子态密度）和光学性质（包括介电函数、光吸收谱）。氧化锌（ZnO）是一种有着广 泛的应用前景的宽带隙半导体材料，属 II-VI 族,在光电和压电等方面有着优越的价值。 在室温下禁带宽度为 3.37eV，束缚激子能高达 60meV。由于它在紫外波段存在受激发 射而成为一种重要的光电材料并引起人们的极大重视。ZnO 在紫外发光二极管、太阳 能电池、液晶显示器、气体传感器、紫外半导体激光器以及透明导电薄膜方面有广阔的 应用前景。最近几年，研究人员发现掺入其它元素能够改变 ZnO 的性质，性能获得更 优的发挥。 我们研究了 In-Ga、In-Ta、Al-H 共掺杂 ZnO 能带结构、总体态密度、分波态密度、 复介电函数、吸收光谱等性质，探讨了微观结构与宏观光学响应的关系，通过比较，我 们的计算结果和其他理论、实验值符合的很好。研究结果表明：掺杂 In-Ga、In-Ta 后在 导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子-电子，优化了 ZnO 的电学性能；三种共 掺杂的导带和禁带都向低能级方向移动，费米能级移入导带，简并化效应更加剧烈。 In-Ga 共掺杂 ZnO 后晶胞体积增大，掺杂 In 晶胞体积缩小，掺杂 Ga 晶胞体积膨胀， 共掺杂后晶胞体积膨胀是由掺入的 Ga 决定的。在 ZnO 禁带中引入杂质能级，同时禁带 宽度变小，导电能力增强，共掺杂后 ZnO 吸收带边出现红移，在可见光区域吸收明显 减弱。并用 IGZO 薄膜实验与计算值进行了对比，结果是准确的。 In-Ta 共掺杂 ZnO 后晶胞体积增大，掺杂 In 晶胞体积缩小，掺杂 Ta 晶胞体积膨胀， 共掺杂后晶胞体积膨胀是由掺入的 Ta 决定的。在 ZnO 禁带中引入杂质能级，同时禁带 宽度变小，导电能力增强，共掺杂后 ZnO 吸收带边出现红移，在可见光区域不同波长 有着不同的吸收变化。 单掺杂 Al 和 H 体积膨胀，共掺杂后晶胞体积膨胀，共掺杂后晶胞体积膨胀是二者 共同决定的。ZnO 禁带宽度增大，导电能力减弱，共掺杂后 ZnO 吸收带边出现蓝移， 在可见光区域吸收增强。理论计算结果与已报道文献实验值一致。 关键词 ZnO 第一性原理 密度泛函 能带结构 态密度 光学性质 掺杂 II II Abstract Abstract In this paper, electronic structure and optical properties of doped ZnO have been investigated by the first-principles calculation based upon density functional theory, electronic structure include the band structure, electronic density of states, and optical properties, include dielectric function, absorption spectrum. Zinc oxide (ZnO) is a wide band gap LED semiconductor material with extensive application prospect. the case of II -VI, have some superior value. in photovoltaic and piezoelectric. with a wide direct band-gap of 3.37 eV and a high exciton binding energy of 60 meV at room temperature. The large exciton binding energy(60 meV) of which can ensure efficieni excitonic emission and ultraviolet (UV) luminescence at room temperature, become one of the major focuses in the research field of semiconductor short-wavelength devices. ZnO has a broad application prospects in ultraviolet light-emitting diodes, solar cells,liquid crystal displays,