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掺氮氧化钒薄膜的制备与性能研究-光学工程专业论文

万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名: 日期: 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 签名: 导师签名: 日期: 年 月 日 摘要 摘要 氧化钒是一种具有很多物理和化学特性的材料,可以被应用于众多领域。近 年来,为了满足器件进步的需求,人们开始关注掺杂氧化钒的性质。目前关于氧化 钒掺杂的研究主要集中在金属元素,非金属掺杂的研究很少,掺氮研究则未见报 道。本文通过磁控反应溅射的方法,成功地制备出不同氮含量的掺 N 氧化钒薄膜。 借助于 SEM、AFM、XPS、XRD、台阶仪等分析和表征手段,对掺氮氧化钒薄膜 进行了材料学表征,并用四探针仪、椭偏仪等测试手段对掺 N 对氧化钒薄膜的电 学和光学性能的影响进行了研究。结果表明:与不掺氮氧化钒薄膜相比,掺氮氧 化钒薄膜的生长过程、薄膜结构、薄膜电学性能和光学性能均发生了改变。论文 的主要研究内容和创新点归纳如下: 1.通过在反应溅射过程中掺入不同流量的氮气,制备了不同氮含量的掺氮氧化 钒薄膜,研究了掺 N 对氧化钒薄膜的生长机制、V 元素的化学态的影响。掺 N 明 显影响氧化钒薄膜的生长过程,降低了氧化钒薄膜的生长速率和薄膜的表面粗糙 度,并使氧化钒薄膜出现取向生长机制。由于是常温下的薄膜沉积,未掺氮与掺 氮氧化钒薄膜内部都未出现结晶情况。掺氮薄膜中 N 元素以占据 O 格点位置的替 位 N 的形式存在。随着薄膜内 N 含量的增加,V3+离子在 V 离子中的浓度逐渐增 加。 2.研究了掺 N 对氧化钒薄膜电阻率和电阻温度系数的影响。掺 N 导致氧化钒 薄膜中出现 V-N 结构,进而影响了其电子结构,从而降低了氧化钒薄膜的电阻率, 而且 TCR 值随着薄膜内氮含量的增加而降低。 3.借助于 SE850 椭偏仪,基于 Tauc-Lorentz 模型研究了掺 N 对氧化钒薄膜在 近红外波段(1300nm~2300nm)的光学常数和薄膜厚度的影响。随着掺 N 量的增 加,样品的光学常数(n, k)随之增加,而薄膜的沉积速率降低。这可能源于掺 N 使薄膜更致密,且使氧化钒的光学带隙减小。 关键词:反应溅射,氧化钒薄膜,掺氮,电阻率,光学常数 I ABSTRACT ABSTRACT Vanadium oxides is a kind of material with a lot of excellent physical and chemical properties, which can be used in many fields. To satisfy the ever-increasing requirements of advanced devices, people begin to put their attentions on doped vanadium oxides. In recent years, researches about doped vanadium oxides are mainly focused on metal dopants. Researches about non-metal dopants are rare. Moreover, studies of nitrogen-doped vanadium oxides have not been seen. With the help of scanning electron microscope(SEM), atomic force microscope(AFM), X-ray photoelectron spectrometer(XPS), X-ray diffraction(XRD) and stylus profiler, we have got material characteristic information of vanadium oxide films. And with the four-probe instrument and spect

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