二硫化钼石墨烯复合材料的制备、表征及电化学性质-应用化学专业论文.docxVIP

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二硫化钼石墨烯复合材料的制备、表征及电化学性质-应用化学专业论文

I 摘 要 进入 21 世纪以来,传统化石能源的消耗较为严重,以及他们在燃烧过程中所产生的 空气污染问题,使得全世界的人民开始注意到日益严重的能源危机。近些年来,随着二维 纳米材料的兴起,过度金属硫化物已经成为人们关注的焦点,并且凭借其自身独特的物理 和化学性质,已被应用到很多领域。在过度金属硫化物的大家族里,二硫化钼(MoS2)是一 种较为理想的电催化析氢催化剂。然而二硫化钼作为一种半导体,其导电性非常差,对于 电催化析氢而言,这显然是不利的。因此,设计出一种新型的 MoS2 电催化析氢催化剂, 使其不但具有较多的活性中心并且最大可能提高其导电性。受到以上启发,我们通过合成 二硫化钼/还原石墨烯(MoS2/rGO)复合物,通过多功能共同导向作用实现了电化学析氢 性能的提高。具体实验内容归纳总结如下: 1. 通过一步水热法制备具有较大双电层电容的 MoS2/rGO 水凝胶,并把该水凝胶应用 到电催化析氢中。水热过程中,一定浓度的氧化石墨烯悬浮液通过自组装形成三维石墨烯 水凝胶,从而增大了比表面积。由于三维网状结构的形成,使得石墨烯在长时间的测试和 使用过程中有效的抵挡体积发生变化,因此具有较强的稳定性。另一方面,石墨烯能够有 效的阻止 MoS2 的 (002)晶面沿着 C 轴的堆叠,从而暴露出更多的活性中心。通过调控反 应过程中氧化石墨烯(GO)浓度优化催化剂性能。结果表明,当反应的 GO 浓度为 1.5 mg/mL 时,得到了 MoS2/rGO3 水凝胶复合物。电化学催化析氢测试中,该复合物具有较小的起始 电位(125 mV),较小的塔菲尔斜率(41 mV/decade), 以及较大的双电层电容(29.6 mF/cm2)。 催化剂在 1000 圈连续测试后仍然展现出了较强的催化活性,证明材料稳定性良好。 2. 通过简单的一步溶剂热法合成了三维氧掺杂的 MoS2/rGO 复合物并把其应用到电化 学析氢中去。由于 MoS2 电催化析氢的活性中心起源于(002)晶面的边缘,因此需要使 MoS2 纳米片暴露更多的活性中心以提高电催化性能。我们设计出了氧掺杂的 MoS2/rGO 复合物, 掺杂的氧不仅可以使 MoS2 无序程度和边缘活性点增加,同时也提高了 MoS2 自身的导电性。 另外,实验表明,MoS2 纳米片中掺杂的氧来自于溶剂 N,N-二甲基甲酰胺(DMF),同时溶 剂 DMF 对所得到的产物的形貌也有一定的影响。在氧掺杂的作用下,MoS2/rGO 复合物展 现出极小的初始电位(103 mV),较小的塔菲尔斜率(43 mV/decade), 当过电位 200 mV 时, 其电流密度为 15 mA/cm2,循环次数达到 2000 次后,其电催化析氢活性仅仅减小了 1.7%。 在过电位为 250 mV 时,其转换效率达到了 2.34 S-1。 进一步地,我们通过对比 MoS2/rGO 复合物掺氧前后的双电层电容值,发现氧掺杂的 MoS2/rGO 复合物双电层电容的值是没有 I 氧掺杂的的 11.2 倍。 关键词:二硫化钼, 石墨烯, 水热, 电催化析氢 II Abstract Energy crisis has gradually attracted the world’s attention due to the mismatch between the severe consumption of traditional fossil fuels and its daily declining availability associated with the environment pollution during the energy-conversion process in the 21st century. Recently, Transition metal sulfides (TMS) have been triggered as novel two dimensional materials which are widely used in many applications, especially in the direction of hydrogen evolution reaction (HER) catalysts due to their unique chemical and physical properties. Among the families of TMS, Molybdenum disulfide (MoS2) has exhibited great potential in HER performance. However, MoS2, a typical semiconduct

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