反向开关晶体管RSD硅基结构优化与碳化硅基模型研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的 研究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人 或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已 在文中以明确方式标明。本人完全意识到，本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权 保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借 阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进 行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制。。。手段保存和汇编本学位论文。 本论文属于 保密□ ，在 年解密后适用本授权书。 不保密□。 （请在以上方框内打“√”） 学位论文作者签名： 指导教师签名： 日期： 年 月 日 日期： 年 月 摘 要 现代脉冲功率技术的发展越来越要求较高的运行频率，来满足其在国防、工业、 医疗及环保领域的应用。作为系统中关键技术的开关器件，就更加注重低损耗、大 功 率 、 高 重 复 频 率 和 长 寿 命 等 器 件 特 性 。 相 比 于 其 他 器 件 ， 反 向 开 关 晶 体 管 （Reversely Switched Dynistor，简称 RSD）因采用可控等离子体层换流开通原理而 具有均压特性好、通流能力强和较高电流上升率等性能，能较好满足脉冲功率技术 对功率开关器件的要求。 基于 RSD 的等离子体双极漂移模型得到的开通电压表达式，可以看出 RSD 开 通时具有较高电压峰值，对脉冲功率系统是不利的。文章分别从 Si RSD 结构优化 和采用新材料（4H-SiC）制作器件两个方面着手，研究如何降低系统中 RSD 器件 的开通损耗。 研究单只 Si RSD 器件的开通电压与阻断电压关系时，实验电路中选取耐压为 0.8kV RSD 器件和耐压为 2.5kV RSD 器件进行对比实验，结果表明在相同电压放电 下前者最大开通电压显著低于后者。同时，向 RSD 引入缓冲层来优化器件结构参数 进而改善器件的开关特性。采用正交试验设计的方法来评估不同参数缓冲层结构， 并选出最优组合。实验对比了耐压 2.5kV RSD，结果表明同等条件下带缓冲层结构 的开通损耗比传统结构降低了 18.96%。 在新结构优化特性的基础上，尝试从更基础的新材料进行优化。首次提出采用 第三代宽禁带半导体材料 SiC 代替 Si 制作 RSD 器件，并建立数值模型进行具体的仿 真研究。采用 4H-SiC 材料各物理量经验参数值，考虑大注入条件下的典型物理效 应，并结合外电路模型对 SiC RSD 的断态和通态特性进行模拟仿真。仿真数据表明 在同等高阻断电压下，SiC RSD 比 Si RSD 具有更好的开通特性。 关键词：脉冲功率 反向开关晶体管 缓冲层 碳化硅 数值模型 Abstract The development of modern pulsed power technology increasingly requires higher operating frequency to meet their application in the defense security, industrial fields, biomedical engineering and environmental protection. As the key technology of the pulsed power system, switching device is more focused on the device characteristics of low-loss, high power, high repetition rate and long service life. Compared to other power devices, Reversely Switched Dynistor ( RSD ) which is based on the principle of controlled plasma layers conduction can meet the requirement of the pulsed power technology on power switches well, for its good voltage-sharing performance, high current conduction capability and high di/dt capability. Based on the exp