触摸屏中金属桥及ITO图形消影的控制与机理研究-材料物理与化学专业论文.docx

万方数据 万方数据 学位论文原创性声明 本论文是我个人在导师指导下进行的工作研究及取得的研究成果。论文中 除了特别加以标注和致谢的地方外，不包含其他人或其它机构已经发表或撰 写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在论文中以明 确方式标明。本人完全意识到本声明的法律责任由本人承担。 作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文使用授权声明 本人授权汕头大学保存本学位论文的电子和纸质文档，允许论文被查阅和 借阅；学校可将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可 以采用影印、缩印或其它复制手段保存和汇编论文；学校可以向国家有关部 门或机构送交论文并授权其保存、借阅或上网公布本学位论文的全部或部分 内容。对于保密的论文，按照保密的有关规定和程序处理。 作者签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 日期： 年 月 日 摘要 摘要 摘要 ITO 传感器（ITO Sensor），目前广泛应用于各类的电容式触摸屏中。通过刻蚀玻璃基 板上的 ITO 形成 ITO 电极阵列，再镀金属膜，接着刻蚀金属膜在行电极与列电极交叉处形 成金属桥，这便是 ITO 传感器的一般制作方法。由于金属桥的反射率远高于周围 ITO 膜和 玻璃基板的，使得肉眼能观察到触控玻璃表面有金属桥影。同时触控玻璃表面有 ITO 的区 域与无 ITO 的区域反射率相差较大，视觉反差明显，肉眼可观察到 ITO 电极影。针对目前 ITO 触控玻璃存在金属桥影和 ITO 电极影的问题，本文通过改进磁控溅射工艺条件以及镀 制光学薄膜的途径，来解决这两个具有实际应用价值的问题。主要工作内容及结论如下： （1）金属桥的主要成分是铝膜，通过改进镀铝膜的工艺条件，适当增大铝膜表面粗糙 度，以降低金属桥的反射率。 （2）经实验探索出合适的直流磁控溅射条件：溅射功率 400W，溅射气压 4mT，基板 温度 130℃，此时铝膜表面粗糙度是 19.2nm。实测工艺改进前后金属桥反射率从 65.5%减 小到 54.8%，金属桥影得到有效削弱。 （3）在玻璃基板与 ITO 膜层之间镀一种双层结构消影膜（invisible film 或 index match film），这种消影膜由一层 Nb2O5 和一层 SiO2 组成。所用玻璃基板厚度 0.7mm，计算出 Nb2O5、 SiO2、ITO 膜层的厚度分别为 7nm、58nm、21nm 时，在可见光范围可使触控玻璃 ITO 区 域与无 ITO 区域反射率差值 ?R 小于 1.0%，满足消影要求。 （4）制备镀出有双层结构消影膜的 ITO 触控玻璃样品，测出其在可见光范围的反射率、 透过率。结果表明镀有消影膜的 ITO 触控玻璃能使 ?R 基本都控制在 1.0%以下，消影效果 良好，同时使透过率变得比较均匀。 （5）在双层消影膜的基础上设计四层结构的消影膜。镀有四层消影膜的 ITO 触控玻璃 结构为 Glass|Nb2O5|SiO2| Nb2O5|SiO2|ITO。计算出最优的各层厚度为 0.7mm|5nm|54nm| 10nm|41nm|15nm。理论上可以使可见光范围内 ?R 都严格的控制在 0.5%以内，消影效果要 优于双层的消影膜。 （6）制备出镀有四层消影膜的 ITO 触控玻璃样品，对其进行反射率、透过率的测量， 结果表明镀有四层消影膜的 ITO 触控玻璃在可见光内 ?R 都很好的控制在 0.5%以内，且透 过率曲线变得非常均匀。对比样品表明实际消影效果非常好，有效提高触摸屏显示效果。 关键词：电容式触摸屏；ITO 玻璃；钼铝钼金属桥；表面粗糙度；消影膜； I Abstra Abstract 万方数据 万方数据 Abstract ITO sensor is widely used in different kinds of capacitive touch screen at present. Etching the ITO on the glass substrate to form ITO electrode array, then depositing metal film and etching it to form metal bridges at each cross of the rows and columns electrodes. This is the general method of making ITO sensor. As the reflectance of metal bridge is much higher than that of ITO film and substrate around, it’s easy to observe metal pattern on the sur