高压igbt关断状态失效的机理分析.pdf

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2018-12-09 发布于江苏
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高压igbt关断状态失效的机理分析

目录目录第一章绪论1 1.1 课题研究背景 1 1.2 IGBT 国内外研究现状 2 1.3 课题研究意义 6 1.4 本文主要工作 6 第二章 IGBT 基本理论与参数优化7 2.1 IGBT 工作原理 7 2.2 IGBT 阻断特性 9 2.2.1 IGBT 阻断特性 9 2.2.2 一种变形槽栅介质的CSTBT 结构 10 2.3 IGBT 正向导通特性 14 2.3.1 IGBT 正向导通特性 14 2.3.2 一种载流子存储的沟槽双极型晶体管 15 2.4 IGBT 的动态特性 18 2.4.1 IGBT 关断特性 19 2.4.2 IGBT 的开关时间 21 2.5 IGBT 安全工作区 22 2.6 IGBT 的雪崩击穿和闩锁效应 23 2.6. 1 雪崩击穿 23 2.6.1.1 静态雪崩击穿 24 2.6.1.2 动态雪崩击穿 25 2.6.2 闩锁效应 25 2.6.2.1 静态闩锁效应 26 2.6.2.2 动态闩锁效应 27 2.7 本章小结 27 第三章高压IGBT 关断失效机理研究28 IV 万方数据目录 3.1 IGBT 关断状态失效现象的提出 28 3.2 元胞区关断失效分析与优化设计 30 3.3 终端区关断失效分析与优化设计 35 3.4 过渡区关断失效分析与优化设计 41 3.5 本章小结 60 第四章结论62 致谢63 参考文献64 攻硕期间取得的研究成果67 V 万方数据第一章绪论第一章绪论 1.1 课题研究背景电力电子学自诞生以来，主要分为两个方向：一是以集成电路为核心的对信息处理的微电子学，二是以功率半导体器件为核心的对电力系统处理的电力电子 [1] 学。随着技术的发展，前者集成度越来越高，后者功率越来越大。当前，经济的飞速发展为人们带来了前所未