掺杂氧化亚铜光催化活性的理论研究理论物理专业论文.docxVIP

研究生优秀毕业论文 西南大学硕士学位论文 西南大学硕士学位论文 摘要 掺杂杂氧化亚铜光催化活性的理论研究 理论物理专业硕士研究生蒋耀 指导教师陈洪教授 捅 要 氧化亚铜(Cu20)是一种常见而重要的半导体材料，它具有吸附能力强，原 料储量丰富，成本低等特点，在可再生能源，环境保护以及防毒面罩等领域得到 了极大的应用。纯净的氧化亚铜的禁带宽度约为2．17 eV(实验测量值)，非常接 近理想的可见光催化剂的禁带宽度(~2．O eV)，因此，氧化亚铜可以吸收大部分 太阳光，理应具有较强的可见光催化性能；然而，实验研究发现，氧化亚铜的可 见光催化活性非常低。后来，经理论物理学家证实，尽管氧化亚铜的禁带宽度非 常适用于光催化，但由于其价带边和导带边都主要是由铜的3d和4s电子态所占据， 因此，不满足电子的直接跃迁规律(△随1)，导致电子从价带顶到导带底的直接跃 迁是禁戒的，这是影响氧化亚铜光催化活性的主要因素；另外，光催化反应发生 在光催化剂的表面上，由于其禁带宽度较小，光生电子一空穴对极易复合，因此， 到达光催化剂表面的电子一空穴对较少，这是导致其光催化活性较低的另一原因。 为了提高氧化亚铜在整个太阳光波段的光谱响应和催化活性，我们必须设法解决 上述两个问题。对于改变半导体的电子结构而言，掺杂是非常重要和有用的方法 之一。 近年来，人们尝试了各种元素单掺杂来设法提高氧化亚铜的光催化性能。发 现N掺杂可以改善Cu20薄膜的p型导电性，并且能使Cu20的吸收系数满足允许 的带隙直接跃迁规律；而阳离子Ag掺杂可以使氧化亚铜的禁带宽度减小，因此， 它们都能在一定程度上促进Cu：O的光谱吸收。但是，研究者们还发现单掺杂会在 Cu20的禁带中引入杂质能级，这些杂质能级能够充当有效的复合中心，因此，单 掺杂对于提高Cu20的光催化活性的程度是很有限的。2009年，魏书淮等人首次 在《物理评论快报》中报道了(Mo+C)钝化共掺杂可以有效地减小Ti02的禁带宽度， 并且未在Ti02的禁带中引入杂质能级。后来这种方法被用来解决其它宽带隙半导 体的问题。然而，Cu20需要解决的是电子的禁戒跃迁问题，那么，这种方法是否 也适用于解决Cu20的问题呢?在我们的工作发表之前，尚无任何关于钝化共掺杂 解决cu20的问题报道，因此，利用这种方式来解决CuzO的问题的研究具有非常 重要的意义。 在本文中，我们利用密度泛函理论的方法重点并系统地研究了非金属元素 ①，C，N，S)，金属元素(Ge，Sn，Ga，111，Ag)以及非金属和金属元素钝化共掺杂 (Ga+C，In+C，Ge+B，Sn+B)氧化亚铜的电子结构，稳定性和光学性质等。我们发现， 万方数据 西南大学硕士学位论文 西南大学硕士学位论文 摘要 阴离子(B，C，N)单掺杂都会在Cu20的价带顶引入较大的p态电子，能解决Cu20的 电子直接跃迁的问题，并且由于B和C在Cu20的价带顶具有相对于N更大的态 密度，它们的掺杂具有相对于N更明显的效果；阳离子Ga和111掺杂会导致Cu20 的禁带宽度增大，而Ge和Sn掺杂具有明显的N型掺杂特征，并且使导带底的主 要电子态占据由d变为p，从而使电子的直接跃迁规律得到满足；上述阴离子和阳 离子单掺杂都会在Cu20的禁带中引入杂质能级，而Ag和S由于分别具有与Cu 和O相同的价电子，因此，它们各自单掺杂不会引入杂质能级，并且Ag掺杂会 使Cu20的禁带宽度减小，从而能在一定程度上提高Cu20的光催化活性；所有的 钝化共掺杂体系均未引入杂质能级，并且禁带宽度都有减小，因此，这四种共掺 杂都使Cu20的光谱吸收范围得到了扩大。在(Ge+B)和(Sn+B)的掺杂体系中，Cu20 导带底的主要电子态占据已经明显的由d变为p，因此，这两种掺杂体系应具有更 明显的提高Cu20光催化活性的效果；为了比较共掺与单掺杂的相对稳定性，我们 计算了形成能，结果表明，共掺杂更加稳定；光学性质的计算表明，共掺杂能使 Cu20的光谱吸收范围扩展到可以光，(Sn+B)表现出最大的光谱吸收范围和强度， 因此，(Sn+B)共掺杂的Cu20有望成为高效的可见光催化剂。我们相信本文的研究 结果能为实验上探索(Sn+B)共掺杂提高Cu20的光催化活性提供一定的指导作用。 关键词：氧化亚铜；光催化活性；密度泛函理论；电子结构；光学性质 II 万方数据 西南大学硕士学位论文