项目3 全控型电力电子器件的应用.pptVIP

项目3 全控型电力电子器件的应用 3.1 门极可关断晶闸管的原理及应用 3.2 电力晶体管的原理及应用 3.3 功率场效应晶体管的原理及应用 3.4 绝缘栅双极型晶体管的原理及应用 3.5 其他新型电力电子器件的原理及应用 3.1 门极可关断晶闸管的原理及应用 可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)，可用门极信号控制其关断。 目前，GTO的容量水平达6000A/6000V，频率为1kHZ。 3.1.1 门极可关断晶闸管的结构和原理 可关断晶闸管也称作门极可关断晶闸管、门极可控开关等，通常称为GTO，即根据门极端子上加有适当极性的控制信号，可从通态向断态，或从断态向通态转换的晶闸管。 GTO作为晶闸管的一种，由PNPN四层构成，用门极触发信号就能使GTO开通及关断。 在短时间内均匀地使空穴从门极排出是关断GTO的关键。目前采用金扩散法和阳极短路法。金扩散法是为了促进N基区电子―空穴对的复合而扩散短寿命的杂质金或铂的方法。阳极短路法如图3.2所示，P发射极和N基区的一部分被短路，在关断过程中，N基区的过剩载流子能够通过短路部分排出。在此情况下，拖尾电流变小，关断特性优越，但反向耐压能力很低。 有关GTO基本特性的术语: （1）可关断电流(ITGQ)：用门极控制可以关断的阳极电流。 （2）可关断峰值电流(ITGQM)：在规定条件下，用门极控制可关断的最大阳极电流值，也称可控制阳极电流 （3）开通门极电流(IFC)：由断态向通态转变以及在通态时流过门极的正向电流。 （4）关断门极电流(IRC)：由通态向断态转变时流过门极的反向电流。 （5）门极关断电流(IGQ)：由通态转入断态时，需要的门极反向瞬时峰值电流的最小值。 （6）门极反向峰值电压(VRGM)：门极反向电压的最大瞬时值。 （7）门极反向击穿电压(VRG)：门极-阴极间出现击穿现象时的门极反向电压。 （8）关断时间(tGQ)(门极控制)：在规定的电路条件下，为使GTO从通态转入断态，从将规定的脉冲波形加到门极端子上的瞬间开始，到电流减少到某规定值为止的时间。 （9）存储时间(tS)：门极关断电流从相当于其峰值的10%的瞬间开始，到阳极电流下降到其峰值的90%为止的时间。 （10）下降时间(tr)：从阳极电流下降到其峰值90%的瞬间开始，到阳极电流从减少转入增加为止的时间。 （11）拖尾时间(tTL)：由于门极关断电流的作用，阳极电流从减小转变到增加时起，直到再次减到维持电流的时刻为止的时间。 3.1.2 门极可关断晶闸管的主要参数 1. 额定电压 断态电压与普通晶闸管相同，但要在门极―阴极间加电阻或负偏压的条件下确定其额定值；额定重复峰值断态电压是在接入门极电阻状态或加有门极负偏压状态下，在额定结温范围内，根据能连续加上的峰值电压规定的。 2. 断态电压临界上升率 断态电压上升率分为只在断态时加在GTO上的所谓静的断态电压上升率和与门极(控制)关断时有关的所谓动的断态电压上升率。所谓断态电压临界上升率，就是指还没有开通的最大断态电压上升率。断态电压临界上升率与最后达到的断态电.压及结温有关，随着结温的升高，或者最后达到的断态电压愈高，则断态电压上升率愈低。 3. 开通特性 GTO开通时间的定义与一般晶闸管完全相同。开通时间随着门极触发电流的增加有减少的倾向，但随着门极触发电流的增加就不再明显减少。同时，延迟时间也有同样的倾向。 4. 关断特性 GTO的关断时间是贮存时间与下降时间的和。贮存时间是从GTO的门极和阴极间加上负门极关断电压时开始，到导通面积收缩到阴极发射极的中心部为止的时间。下降时间是从贮存时间结束时开始，到门极和阳极间的结恢复为止的时间。 3.1.3 门极可关断晶闸管的应用 1. 驱动电路 GTO是以门极正脉冲和负脉冲开通和关断阳极电流的晶闸管，它的门极电路由开通GTO的门极开通电路、关断GTO的门极关断电路和必要的反偏电路所组成，如图3.3所示。 GTO门极触发方式通常有下面三种： ① 直流触发 在GTO被触发导通期间，门极一直加有直流触发信号。 ② 连续脉冲触发 在GTO被触发导通期间，门极上仍加有连续触发脉冲，所以也称脉冲列触发。 ③ 单脉冲触发 即常用的脉冲触发，GTO导通之后，门极触发脉冲即结束。 采用直流触发或脉冲列触发方式GTO的正向管压降较小。采用单脉冲触发时，如果阳极电流较小，则管压降较大，用单脉冲触发，应提高脉冲的前沿陡度，增大脉冲幅度