含记忆元件电路的基本特性以及对外界激励响应的研究-电子与通信工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 南京邮电大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果，也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 本人学位论文及涉及相关资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。 研究生签名： 日期： 南京邮电大学学位论文使用授权声明 本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文 档；允许论文被查阅和借阅；可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索； 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质 论文的内容相一致。论文的公布（包括刊登）授权南京邮电大学研究生院办理。 涉密学位论文在解密后适用本授权书。 研究生签名： 导师签名： 日期： 摘要 1971 年，加州大学的蔡少棠教授从理论上预言了忆阻器的存在，直到 2008 年，惠普公司 Strukov 等人基于掺杂 TiO2 材料实现了忆阻器器件原型。作为一类典型的非线性记忆元件， 忆阻器在混沌电路、人工神经网络、图像处理等领域具有有广阔的应用前景。随着对忆阻器 研究的深入，研究工作者们推广了记忆元件的相关概念，忆容器和忆感器被相继提出。尽管 二者的器件实物还没有实现，但其相关电学特性、物理模型以及应用都已引起了研究工作者 的极大兴趣。本论文就忆阻器、忆容器和忆感器的基本特性、串并联电路以及在记忆电路、 混沌电路领域的应用展开研究，主要研究内容和结果包括： 研究了忆阻器、忆容器和忆感器基本器件特性。对于忆阻器，研究了磁控分段线性函数 忆阻器的特性；对于忆容器，研究了磁控分段线性函数以及三次非线性函数的忆容器特性； 对于忆感器，研究了荷控分段线性函数以及 Biolik 模型的忆感器的特性。研究表明，这三类 记忆元件都能呈现明显的紧缩磁滞现象，同时，当器件参数、外加信号频率变化时，其特性 曲线也有明显变化规律。基于这三类记忆元件，具体研究了 MLC 串并联、RLCM 串联、RCLM 并联电路，具体研究了记忆元件的分压、分流特点，为探索其应用提供了理论依据。 研究了含忆阻器、忆容器的记忆电路对周期性、非周期性外界激励信号的响应特性。研 究结果表明，通过相关参数的调整，忆阻器的忆阻值、忆容器的忆容值在周期性信号的激励 下会有显著变化，在非周期性信号的激励下无明显变化。研究了含记忆元件蔡氏电路对不同 激励信号以及不同信号频率和幅值的响应特性。研究结果表明，在不同信号或同一信号不同 的频率和幅值的激励下，电路状态会有明显变化且有规律可循。信号的频率、幅值等参数的 变化，使电路状态在稳定焦点、多倍周期以及双涡旋等混沌状态间转变。这些特性在非挥发 性存储、人工神经网络等领域具有巨大的应用前景。 关键词：忆阻器，忆容器，忆感器，混沌电路 I Abstract In 1971, Prof. Leon O. Chua predicted the existence of the memristor and it was realized by HP lab in 2008. As a typical non-linear element, memristor has broad application prospects in the field of chaotic circuits, artificial neural networks and image processing. With the deep research of memristor, researchers promote the concepts of memory components, and then the concepts of memcapacitor and meminductor were proposed. In this paper, we have done research on the basic characteristics of the memristor, memcapacitor and meminductor, and the characteristics of memory elements in the series and parallel circuit, and the application of memory elements in the memory circuit and chaotic cir