沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 # 7 %$$7 7 ， ， ， -X 4# 8X 47 SD@ %$$7 （ ） ($$$09%’$L%$$7L# $7 L(%%0$# U,IU *3V1W,U 1W8W,U #%$$7 ,?2G 4 *?@A 4 1X/ 4 沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响! ! 陈永生 郜小勇 杨仕娥 卢景霄 谷锦华 （郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室，郑州 #$$#% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$ ’ (( %$$ (% ) 采用 技术，在玻璃衬底上沉积 ： 薄膜 用拉曼光谱、 和 分光光度计对不同沉积温度下沉 *+,-. /012 3 4 1+5 6- ! 积的薄膜的结构特性进行分析 研究发现：沉积温度较低时，随着沉积温度的升高，薄膜的晶化率增加；当沉积温 4 度超过某一温度值时，随着温度的进一步升高，薄膜的晶化率降低4 这时，表面反应由表面扩散限制转变为流量控 制 该温度值随着硅烷含量的降低而降低 4 4 关键词：氢化微晶硅薄膜，拉曼散射谱，晶化率， 分光光度计 6- ： ， ， !## 7%)$8 7)9$: )((#3 (H 引 言 9 H 结 果 采用 方法沉积的微晶硅（ ：）薄膜 *+,-. /012 3 ! $ % % 拉曼分析 广泛应用于薄膜器件如太阳电池、薄膜晶体管 ［，］ （ ）、传感器等( % 本征 ： 薄膜作为 薄 图 为 时，在不同沉积温度下制备的薄 IJI 4 /012 3 =012 ( ! K # N ! 膜太阳电池的活性层具有重要意义：）可以缓解光 膜的拉曼光谱图 采用高斯函数对每个样品的拉曼 ( 4 致衰减；）增强了对太阳光谱中长波长光区的光谱 谱进行三峰拟合分析，通过计算相应峰面积比来表 % 相应 实验组对微晶硅薄膜的沉积进行了大量的研 征其晶化率： 4 ［，］ 9 （ ）（