课件：第章电力场效应晶体管.ppt

功率MOSFET的栅极驱动电路 6.6 3、栅极驱动电路实例 （2）窄脉冲栅极驱动电路 如图所示电路。 由于变压器的磁芯很小，在开关信号的传送中，副边绕组输出正负相间的窄脉冲，因此称为窄脉冲驱动电路。 图中电路由三部分组成：三极管VT1与脉冲变压器组成控制信号放大及窄脉冲形成电路；三极管VT2和 VT3组成两级正反馈互锁电路，即双稳态触发器，用来记忆开关信号；三极管VT4和VT6组成推拉式驱动电路。 图6.12 窄脉冲栅极驱动电路 功率MOSFET的栅极驱动电路 6.5 基本原理： 图6.12 窄脉冲栅极驱动电路 当输入信号ui的电平由低变高时，VT1导通使脉冲变压器原边绕组n1上产生电压，其值由电源电压和分压电阻R2和R3决定。由于脉冲变压器副边绕组出现相应的正向尖脉冲，于是使VT2导通。由于VT2和VT3的互锁作用，使VT2和VT3一直保持导通状态，因而三极管VT4导通并使功率MOSFET可靠导通。这样就避免了由于驱动信号持续时间过短而造成功率MOSFET可能触发不动的现象。 功率MOSFET的栅极驱动电路 6.5 基本原理： 图6.12 窄脉冲栅极驱动电路 当输入信号ui的电平由高变低时，VT1截止，于是在脉冲变压器副边绕组n2中感生负向尖脉冲，于是使VT2截止，从而使VT3和VT4均截止，VT6瞬时导通，功率MOSFET关断。 在该电路中，R6，VD3和VD4组成自保护电路，它是利用判断参考点A和功率MOSFET的漏极D间的电位差来实现过载保护的。 功率MOSFET在应用中的注意事项 6.5 1、防止静电击穿 由于功率MOSFET具有极高的输入阻抗，因此在静电较强的场合难以泄放电荷，容易引起静电击穿。 静电击穿有两种形式： 电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路。 功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路，或者是源极开路。 二者均使器件损坏。 功率MOSFET在应用中的注意事项 6.5 为了防止静电击穿，应注意以下几点： 1）在测试和接入电路之前，器件应存放在抗静电包装袋、导电材料或金属容器中，不能存放在塑料盒或塑料袋中。取用器件时应拿管壳部分而不是引线部分。工作人员需通过腕带良好接地。 2）将器件接入实际电路时，工作台和烙铁都必须良好接地。焊接时烙铁应断电。 3）在测试器件时，测量仪器和工作台都必须良好接地。器件的三个电极未全部接入测试仪器或电路以前，不许施加电压。改换测试范围时，电压和电流都必须先恢复到零。 4）注意栅极电压不要过限。有些型号的功率MOSFET内部输入端接有齐纳保护二极管，这种器件栅源间的反向电压不得超过0.3V。对于内部未设保护二极管的器件，应外接栅极保护二极管，或外接其他保护电路。 功率MOSFET在应用中的注意事项 6.5 2、防止偶然性振荡损坏器件 功率MOSFET在与测试仪器、接插盒等器件的输入的电容、输入电阻匹配不当时，可能出现偶然性振荡，造成器件损坏。因此在用图示仪等仪器测试时，在器件的栅极端子处外接10k的串连电阻，也可在栅源间外接约0.6μF的电容器。 3、防止过电压 1）栅源间过电压防护 如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲。这一电压会引起栅氧化层的永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压，还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻，或并接约20V的齐纳二极管。特别要防止栅极开路工作。 功率MOSFET在应用中的注意事项 6.5 3、防止过电压 2）漏源间过电压防护 如果器件并接有感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变（di/dt）会产生比外电源还高的漏极电压过冲，导致器件的击穿。为防止器件损坏，应采取齐纳二极管钳位，二极管-RC钳位或RC抑制电路等保护措施。 若干负载的接入或切除，均可能产生很高的冲击电流，以致超过ID（on）的最大额定值，此时必须用电流互感器和控制电路使器件回路迅速断开。 4、防止过电压 功率MOSFET内部构成寄生晶体管和二极管。通常若短接晶体管的基极和发射极，就会使 变大，若基极有电流通过，就会造成二次击穿。因此在桥式开关电路中，功率MOSFET应外接并联二极管。 6、消除寄生晶体管和二极管的影响 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 第6章 6.1 MOSFET的结构和工作原理 6.2 功率MOSFET的基本特性 6.3