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基于电力电子器件及变频技术的发展与应用研究 论文关键词：电力电子器件；变频技术；谐波；功率因 数 论文摘要：介绍了电力电子器件和变频技术的发展过程 以及变频技术在家用电器的应用，分析了变频技术的应用也 带来了谐波、电磁干扰和电源系统功率因数下降等问题。 提出了相关的谐波抑制方法及提高电源系统功率因数的措 施。 引言 随着电力电子、计算机技术的迅速发交流调速取 随着电力电子、计算机技术的迅速发 交流调速取 代直流调速己成为发展趋势。变频调速以其优异的调速和 启、制动性能被国内外公认为是最有发展前途的调速方式 变频技术是交流调速的核心技术，电力电子和计算机技术 又是变频技术的核心，而电力电子器件是电力电子技术的 基础。电力电子技术是近几年迅速发展的一种高新技术， 广泛应用于机电一体化、电机传动、航空航天等领域，现 已成为各国竞相发展的一种高新技术。专家预言，在2 1世 纪高度发展的自动控制领域内，计算机技术与电力电子技 术是两项最重要的技术。 、电力电子器件的发展过程 上世纪50年代末晶闸管在美国问世，标志着电力电子 技术就此诞生。第一代电力电子器件主要是可控硅整流器 (SCR),我国70年代将其列为节能技术在全国推广。然而， SCR毕竟是一种只能控制其导通而不能控制关断的半控型开 关器件，在交流传动和变频电源的应用中受到限制。70年 代以后陆续发明的功率晶体管(GT R)、门极可关断晶闸管 (GT0)、功率M 0S场效应管(Pow erMOSFET)、绝缘栅晶体管 (IGB T)、静电感应晶体管(SIT)和静电感应晶闸管(SHH)等， 它们的共同特点是既控制其导通，又能控制其关断，是全 控型开关器件，由于不需要换流电路，故体积、重量较之 SCR有大幅度下降。当前，IGBT以其优异的特性己成为主 流器件，容量大的GTO也有一定地位[1] [2] [3]。 许多国家都在努力开发大容量器件，国外己生产6 000V 的 IGBT。 IEGT(injec tionenhanc edgatethyr istor) 是一种将IGBT和GTO的优点结合起来的新型器件，己有 1000A/4 500V 的样品问世。IGCT(integ ratedgatee ommutatedt hyristor)在GTO基础上采用纟爰冲层和透明发射 极，它开通时相当于晶闸管，关断时相当于晶体管，从而 有效地协调了通态电压和阻断电压的矛盾，工作频率可达 几千赫兹[2] [3]。瑞士 A BB公司已经推出的I GCT可达 4500 一6000V，3000 — 3500A。MCT因进展不大而引退而I GCT的发展使其在电力电子器件的新格局中占有重要的地位。 与发达国家相比，我国在器件制造方面比在应用方面有更 大的差距。高功率沟栅结构IGBT模块、IEGT、M0S门控晶 闸管、高压砷化稼高频整流二极管、碳化硅(SIC)等新型功 率器件在国外有了最新发展。可以相信，采用GaAs、SiC 等新型半导体材料制成功率器件，实现人们对“理想器件” 的追求，将是21世纪电力电子器件发展的主要趋势。 高可靠性的电力电子积木(PEBB)和集成电力电子模块 (IP EM)是近期美国电力电子技术发展新热点。GTO和IGCT， I GCT和高压IGBT等电力电子新器件之间的激烈竞争，必 将为2 1世纪世界电力电子新技术和变频技术的发展带来更 多的机遇和挑战。 二、变频技术的发展过程 变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。电 力电子器件的更新促使电力变换 技术的不断发展。起初，变频技术只局限于变频不能变 压。2 0世纪70年代开始，脉宽调制变压变频(P丽-VVVF)调 速研究引起了人们的高度重视。20世纪80年代，作为变频 技术核心的P丽模式优化问题吸引着人们的浓厚兴趣，并得 出诸多优化模式，如：调制波纵向分割法、同相位载波PWM 技术、移相载波HVM技术、载波调制波同时移相PWM技术 等。 VVVF变频器的控制相对简单，机械特性硬度也较好，能 够满足一般传动的平滑调速要求，己在产业的各个领域得到 广泛应用。但是，这种控制方式在低频时，由于输出电压较 小，受定子电阻压降的影响比较显著，故造成输出最大转矩 减小。 矢量控制变频调速的做法是:将异步电动机在三相坐标 系下的定子交流电流la、Ib、I c通过三相一一二相变换， 等效成同步旋转坐标系下的直流电流Im 1、Itl，然后模仿 直流电动机的控制方法，求得直流电动机的控制量，经过相 应的坐标反变换，实现对异步电动机的控制。 直接转矩控制直接在定子坐标系下分析交流电动机的 数学模型，控制电动机的磁链和转矩。它不需要将交流电动 机化成等效直流电动机，因而省去了矢量旋转变换中的许多 复杂计算；它不需要模仿直流电动机的控制，也不需要为解 耦而简