南京师范大学电气与自动化工程学院单片机原理与接口技术课件第五章 半导体存储器.ppt

* 8051 RAM ROM I/OP I设备 O设备 RAM ROM /INT0 /INT1 T0 T1 S0 5 半导体存储器 5.1 概述 存储器M RAM （Random Access Memory) ROM (Read Only Memory) SRAM(Static RAM) DRAM(Dynamic RAM) NVRAM(Non Volative RAM) 掩模ROM PROM（Programable ROM) EPROM(Erasable PROM) E2PROM(Electrically EPROM) 5.3 80C51单片机的存储器扩展 5.3.1 80C51三总线结构 MOV DPTR，#3020H MOV A，#99H MOVX @DPTR，A ROM 单片机最小系统 图5－6 80C51系列单片机的三总线引脚结构 地址锁存器 晶振 电路 复位 电路 XTAL1 XTAL2 RESET 1800H（最低地址） ↓ 1FFFH（最高地址） **01 1000 0000 0000B ↓ 0001 1111 1111 1111B U3 2800H（最低地址） ↓ 2FFFH（最高地址） **10 1000 0000 0000B ↓ 0010 1111 1111 1111B U2 3000H（最低地址） ↓ 37FFH（最高地址） **11 0000 0000 0000B ↓ 0011 0111 1111 1111B U1 地址 地址线状态 芯片号 (1) 线选法 5.3.2 片选方式和地址分配 注:1)线选法各芯片地址不连续 2)存在地址重叠现象 (2) 译码法----全译码 图5－8 全译码法扩展存储器 U1：1000 0000 0000 0000B～1000 0111 1111 1111B （8000H～87FFH） U2：1000 1000 0000 0000B～1000 1111 1111 1111B （8800H～8FFFH） U3：1001 0000 0000 0000B～1001 0111 1111 1111B （9000H～97FFH） (3)部分译码 图5－9 部分译码法扩展存储器 U1：**00 0000 0000 0000B～xx00 0111 1111 1111B 0000H～07FFH， U2：**00 1000 0000 0000B～xx00 1111 1111 1111B 0800H～0FFFH， U3：**01 0000 0000 0000B～xx01 0111 1111 1111B 1000H～17FFH， 5.3.3 程序存储器和数据存储器扩展步骤 1、首先根据已知芯片参数和所求参数求得 所需芯片数=所需容量/每片容量（假设字长相同） 2、求得芯片的地址线、数据线根数 3、 连接AB、DB和部分CB DB AB ROM读 RAM写 RAM读 单片机 存储器 P0 P2+P0 /PSEN /WR /RD Di （I/Oi) Ai （=16根）+/CE（/CS） /OE (/RD) /WE （/WR） /OE (/RD) 补例 用2764（8K*8bit即8KB)扩展16K字节的EPROM P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 80C51 P0.0 P0.1 P0.7 ALE /PSEN 74 LS373 G … … … A12 A11 A8 /CE A7 2764 A0 O0 /OE O7 … … … … … … A12 A11 A8 /CE A7 2764 A0